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RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開(kāi)發(fā)
本文通過(guò)分析RF功率 LDMOSFET的性能和結(jié)構(gòu)特征，設(shè)計(jì)出RF 功率 LDMOSFET器件結(jié)構(gòu)，通過(guò)工藝和器件模擬確定了關(guān)鍵參數(shù)，并設(shè)計(jì)了一套符合6寸芯片生產(chǎn)線的制造工藝流程，對(duì)工藝中的難點(diǎn)提出了解決方案。
2008-10-12
RF MOSFET 性能 工藝
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運(yùn)放式射頻放大器
本文詳細(xì)介紹了放大器的基本拓?fù)浜蛥?shù)，如果價(jià)格可以接受的話，運(yùn)放，特別是CFB運(yùn)放非常適合射頻設(shè)計(jì)。
2008-10-12
運(yùn)放 射頻 CFB
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將MEMS傳感器用于各種創(chuàng)新的消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品設(shè)計(jì)
MEMS即微機(jī)電系統(tǒng)，是利用微米級(jí)立體結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)感應(yīng)和執(zhí)行功能的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。其中，微米級(jí)立體結(jié)構(gòu)是利用被稱(chēng)為“微加工”的特殊工藝實(shí)現(xiàn)的微米大小的立體機(jī)械結(jié)構(gòu)。 因?yàn)榧夹g(shù)和經(jīng)濟(jì)的原因，MEMS傳感器曾經(jīng)被局限在汽車(chē)市場(chǎng)和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域；今天，隨著MEMS傳感器越來(lái)越小，價(jià)格越來(lái)越低，能效越來(lái)越高...
2008-10-11
MEMS 計(jì)步器 游戲機(jī) 加速計(jì)
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加速度傳感器在汽車(chē)防盜系統(tǒng)中的應(yīng)用研究
在分析竊賊盜竊汽車(chē)常用手法的基礎(chǔ)上，優(yōu)選了汽車(chē)防盜監(jiān)測(cè)所需的傳感器件" 探討了在汽車(chē)防盜系統(tǒng)中。將美國(guó)公司生產(chǎn)的加速度傳感器同時(shí)作為振動(dòng)傳感器和傾角傳感器的兩種不同的敏感器件設(shè)計(jì)方案，并對(duì)采用該傳感器的信息處理方法進(jìn)行了探討。
2008-10-11
汽車(chē)防盜 加速度傳感器 振動(dòng) 傾斜
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超級(jí)電容集成優(yōu)化混合動(dòng)力公交車(chē)動(dòng)力總成
自從2003年實(shí)現(xiàn)成功測(cè)試以來(lái)，ISE已經(jīng)將Maxwell的超級(jí)電容整合到汽油、柴油和燃料電池混合動(dòng)力車(chē)之中。特別需要說(shuō)明的是，自從開(kāi)發(fā) Thundercap II超級(jí)電容系統(tǒng)，ISE已經(jīng)將其動(dòng)力系統(tǒng)引入到汽-電混合動(dòng)力車(chē)、柴-電混合動(dòng)力車(chē)、氫-電混合動(dòng)力車(chē)和燃料電池混合動(dòng)力車(chē)的設(shè)計(jì)之中。清潔運(yùn)行、安靜、低維...
2008-10-11
ISE 動(dòng)力系統(tǒng) 超級(jí)電容 Thunderpack II
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超級(jí)電容器在汽車(chē)啟動(dòng)中的應(yīng)用
蓄電池是汽車(chē)中的關(guān)鍵電器部件，其性能直接影響汽車(chē)的啟動(dòng)。現(xiàn)在的汽車(chē)啟動(dòng)無(wú)一例外地采用啟動(dòng)電動(dòng)機(jī)啟動(dòng)方式。從改善汽車(chē)電氣設(shè)備的電磁環(huán)境、改善汽車(chē)的啟動(dòng)性能和蓄電池性能或延長(zhǎng)蓄電池使用壽命來(lái)考慮，改善汽車(chē)電源在啟動(dòng)過(guò)程中的性能是必要的。解決問(wèn)題的方案之一是加大蓄電池的容量，但需要...
2008-10-11
蓄電池 電容器 汽車(chē)啟動(dòng) 蓄電池 電容器
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淺談?wù)彰骷?jí)白光LED的驅(qū)動(dòng)與應(yīng)用
本文主要講了照明級(jí)白光LED的驅(qū)動(dòng)與應(yīng)用，分別講了線性驅(qū)動(dòng)應(yīng)用、開(kāi)關(guān)型驅(qū)動(dòng)應(yīng)用和調(diào)光應(yīng)用方式。
2008-10-11
LED 驅(qū)動(dòng) 應(yīng)用 線性 開(kāi)關(guān)型 調(diào)光
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IGBT驅(qū)動(dòng)電路M57962L的剖析
IGBT是一種新型功率器件，即絕緣柵極雙極集體管(Isolated GateBipolar Transistor)，是上世紀(jì)末出現(xiàn)的一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件。它將GTR和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)集于一身：輸入阻抗高，開(kāi)關(guān)頻率高，工作電流大等，在變頻器、開(kāi)關(guān)電源，弧焊電源等領(lǐng)域得到廣泛地應(yīng)用。M57962L采用+15V、- 10V雙...
2008-10-11
IGBT M57962L 驅(qū)動(dòng)電路 過(guò)流檢測(cè)
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激光二極管發(fā)射控制的精密方法
用1個(gè)簡(jiǎn)單的運(yùn)放電路可以相當(dāng)容易地產(chǎn)生不同應(yīng)用所需的精確光強(qiáng)度。隨著光發(fā)射器的老化，通過(guò)調(diào)節(jié)流經(jīng)LED的電流，其控制環(huán)路仍將保持恒定電平。
2008-10-11
光電二極管 運(yùn)放 環(huán)路 電流
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