【導(dǎo)讀】筆記本內(nèi)存有Micro DIMM和Mini Registered DIMM兩種接口。Micro DIMM接口的DDR為172pin，DDR2為214pin；Mini Registered DIMM接口為244pin，主要用于DDR2內(nèi)存。DDR3 SO-DIMM接口為204pin。如何選擇？請看本文詳細(xì)解讀。
內(nèi)存連接器有很多種，符合 DIMM（雙列直插內(nèi)存模塊）和 SIMM （單列直插式內(nèi)存模塊）以及用于筆記本電腦、臺式機(jī)、工作站、服務(wù)器、存儲和通信應(yīng)用的自定義內(nèi)存模塊的 JEDEC 工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
DDR2 DIMM
DDR2 是現(xiàn)有 DDR 標(biāo)準(zhǔn)的自然發(fā)展，通過在相同總線頻率下使數(shù)據(jù)速率提高一倍而增加了數(shù)據(jù)帶寬。插接 JEDEC MO-237 模塊。
圖1：DDR2 DIMM連接器
DDR2 是現(xiàn)有 DDR 標(biāo)準(zhǔn)的改進(jìn)版本，可輕松應(yīng)對目前速度最快的 400MHz 至 500MHz DDR 所面臨的巨大挑戰(zhàn)。與 DDR 相比，DDR2 可在相同總線頻率下將數(shù)據(jù)速率提高一倍，因而可有效增加數(shù)據(jù)帶寬或容量。DDR2 可提供比目前最快的 DDR（約 3.2GB/s）更出色的數(shù)據(jù)吞吐。這一內(nèi)存技術(shù)催生了新一代更高性能電腦系統(tǒng)的問世，其中包括臺式電腦、工作站、服務(wù)器、便攜設(shè)備以及路由器和交換機(jī)等新型通訊產(chǎn)品。
Molex 支持 DDR2 標(biāo)準(zhǔn)，并且是 JEDEC 的積極成員，致力于開發(fā)新一代的內(nèi)存平臺。Molex DDR2 內(nèi)存插座可接受 MO-237 JEDEC 型號的 DDR2 標(biāo)準(zhǔn)模塊。 Molex 可充分滿足高數(shù)據(jù)吞吐量應(yīng)用和要求，并始終致力于高速連接器的開發(fā)，可確保連接器設(shè)計(jì)以最低的應(yīng)用成本提供最出色的可靠性能。
DDR3 DIMM 插槽
DDR3 DIMM 內(nèi)存模塊插槽為要求嚴(yán)苛的存儲器應(yīng)用提高了數(shù)據(jù)帶寬和性能,DDR3 必然會在未來的計(jì)算架構(gòu)中成為現(xiàn)有 DDR2 技術(shù)的替代品。
圖2：DDR3 DIMM 插槽連接器
DIMM（Dual Inline Memory Module，雙列直插內(nèi)存模塊）與SIMM(single in-line memory module，單邊接觸內(nèi)存模組)相當(dāng)類似，不同的只是DIMM的金手指兩端不像SIMM那樣是互通的，它們各自獨(dú)立傳輸信號，因此可以滿足更多數(shù)據(jù)信號的傳送需要。同樣采用DIMM，SDRAM 的接口與DDR內(nèi)存的接口也略有不同，SDRAM DIMM為168Pin DIMM結(jié)構(gòu)，金手指每面為84Pin，金手指上有兩個(gè)卡口，用來避免插入插槽時(shí)，錯(cuò)誤將內(nèi)存反向插入而導(dǎo)致燒毀；DDR2 DIMM則采用240pin DIMM結(jié)構(gòu)，金手指每面有120Pin?？跀?shù)量的不同，是二者最為明顯的區(qū)別。DDR3 DIMM同為240pin DIMM結(jié)構(gòu)，金手指每面有120Pin，與DDR2 DIMM一樣金手指上也只有一個(gè)卡口，但是卡口的位置與DDR2 DIMM稍微有一些不同，因此DDR3內(nèi)存是插不進(jìn)DDR2 DIMM的，同理DDR2內(nèi)存也是插不進(jìn)DDR3 DIMM的，因此在一些同時(shí)具有DDR2 DIMM和DDR3 DIMM的主板上，不會出現(xiàn)將內(nèi)存插錯(cuò)插槽的問題。
miniDIMM
Molex 是 miniDIMM 連接器的領(lǐng)先開發(fā)商。此連接器采用 0.60 毫米的間距和高度可靠的觸點(diǎn)設(shè)計(jì)，是高端應(yīng)用中頗受歡迎的解決方案。
圖3：miniDIMM連接器
JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) 0.60 毫米（.024 英寸）間距插座常用于小尺寸電腦和小尺寸服務(wù)器中，其中包括 1U、刀片服務(wù)器以及高可靠性的網(wǎng)絡(luò)路由器。Molex 在現(xiàn)有的垂直 miniDIMM 插座基礎(chǔ)上增加了標(biāo)準(zhǔn)和反向配置的彎角和直角型號。
據(jù) Molex 預(yù)計(jì)，miniDIMM 模塊將在眾多應(yīng)用領(lǐng)域中得到廣泛運(yùn)用，尤其那些需要在高可靠性設(shè)備中提供 ECC 的應(yīng)用更是如此。類似模塊還可用于面向電腦和服務(wù)器并采用 DIMM 型鎖閂的垂直和彎角連接器中。
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全緩沖 DIMM
Molex 的全緩沖 DIMM (FB DIMM) 開發(fā)動(dòng)力是市場對更大更快內(nèi)存容量的需求。
圖4：全緩沖 DIMM
DDR DIMM
1.27 毫米（0.050 英寸）間距雙數(shù)據(jù)速率 DIMM。這種 184 線 DIMM 插槽可提供垂直式和傾斜式。插接JEDEC MO-206 模塊。
圖5：全緩沖 DIMM
DIMM
DIMM 是一種雙列直插式內(nèi)存模塊，內(nèi)含旨在存放內(nèi)存芯片的小型電路板。它是一種通常在個(gè)人電腦中用于提高可靠性、速度和內(nèi)存系統(tǒng)密度的內(nèi)存技術(shù)。
圖6：全緩沖 DIMM
Dual-Inline-Memory-Modules,即雙列直插式存儲模塊。這是在奔騰CPU推出后出現(xiàn)的新型內(nèi)存條，DIMM提供了64位的數(shù)據(jù)通道，因此它在奔騰主板上可以單條使用。它有168條引腳，故稱為168線內(nèi)存條。它要比SIMM插槽要長一些，并且它也支持新型的168線EDO-DRAM存儲器。就目前而言，適用DIMM的內(nèi)存芯片的工作電壓一般為3.3V（使用EDORAM內(nèi)存芯片的168線內(nèi)存條除外），適用于SIMM的內(nèi)存芯片的工作電壓一般為5V（使用EDORAM或FBRAM內(nèi)存芯片），二者不能混合使用。
S.O. DIMM
200 電路 DDR/DDR2 SODIMM 插座可為筆記本電腦設(shè)計(jì)者提供良好解決方案。其輕薄外形可令筆記本電腦設(shè)計(jì)者采用更小的機(jī)箱，從而進(jìn)一步開發(fā)更輕更小的筆記本電腦。DDR (2.5 V) 和 DDR2 (1.8 V) 型號的 SODIMM 插座幾乎完全相同，區(qū)別僅在于電壓鍵的位置有所不同。這樣可有效防止將錯(cuò)誤的存儲模塊類型與插座配插。DDR2 是 DDR 內(nèi)存技術(shù)的升級版本。它速度更快，可提供更高帶寬、更低能耗和更出色的熱量管理性能。
圖7：全緩沖 DIMM
Molex 是負(fù)責(zé)制定存儲器行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 JEDEC 工作小組的積極成員。DDR/DDR2 SODIMM 插座可接受符合 JEDEC MO-224 輪廓線要求的模塊。產(chǎn)品采用無鉛鍍層，并符合 RoHS。
FB-DIMM
因?yàn)槟壳暗膬?nèi)存主要是采用傳統(tǒng)的64位并行設(shè)計(jì)，即北橋芯片的內(nèi)存控制器與內(nèi)存模塊之間均通過64位的并行總線來數(shù)據(jù)交換，但此類并行總線設(shè)計(jì)有一個(gè)最大的缺點(diǎn)：就是相鄰線路很容易受到干擾。這是因?yàn)槟壳暗腄IMM采用一種“短線連接”(Stub-bus)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
在這種結(jié)構(gòu)中，每個(gè)芯片與內(nèi)存控制器的數(shù)據(jù)總線都有一個(gè)短小的線路相連，這樣會造成電阻抗的不連續(xù)性，從而影響信號的穩(wěn)定與完整，頻率越高或芯片顆粒越多，影響也就越大。這也是目前基于此類并行體系的內(nèi)存如DDR頻率低下的原因。
