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CES熱點(diǎn):VR要變天,看方案主板接入機(jī)會
CES2023 VR設(shè)備熱火朝天,國內(nèi)傳出“果鏈”減產(chǎn),歌爾和立訊精密等代工巨頭股價震蕩,出現(xiàn)冰火不容的局面。索尼在CES 2023上發(fā)布其頭顯設(shè)備PS VR2,建議零售價為550美元。相比前代進(jìn)行了很大升級,包括OLED屏幕、更廣的視野、支持4K HDR和高達(dá)120Hz的幀率以及設(shè)備內(nèi)置的四個攝像頭等功能。PS VR2還有...
2023-01-13
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新精裝修需求模式:智能家居生意不好做,地產(chǎn)商出手
房地產(chǎn)市場回暖,精裝修是一個賣點(diǎn)。土木工程屬性的精裝修難以提升房地產(chǎn)的困境,只有突出“智能家居“的精裝修才是帶動房地產(chǎn)低迷的利器。我愛方案網(wǎng)的智能家居類方案交易印證這個判斷,智能窗簾,智能照明,智能衛(wèi)浴,智能鎖,智能中控和家電的智能喚醒功能模塊都是方案商與地產(chǎn)系統(tǒng)集成商密切合作...
2023-01-13
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熱插拔控制器改善了電源排序
對于許多系統(tǒng),電源電壓必須按一定的順序施加,以防止電路損壞。過去,這項任務(wù)是通過分立電路實現(xiàn)的,但現(xiàn)代熱插拔控制器IC提供了一種替代方案,可以簡化設(shè)計并提高電源排序器的性能。
2023-01-13
熱插拔控制器 電源排序
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晶圓級封裝Bump制造工藝關(guān)鍵點(diǎn)解析
射頻前端(RFFE,Radio Frequency Front-End)模組國內(nèi)外手機(jī)終端中廣泛應(yīng)用。它將功率放大器(PA,Power Amplifier)、開關(guān)(Switch)、低噪聲放大器LNA(Low Noise Amplifier)、濾波器(Filter)、無源器件等集成為一個模組,從而提高性能,并減小封裝體積。然而,受限于國外專利以及設(shè)計水平等...
2023-01-13
晶圓級封裝 Bump制造工藝 射頻前端 濾波器 賀利氏
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Qorvo推出通過基于UWB的智能手機(jī)高精度安全室內(nèi)導(dǎo)航系統(tǒng)
移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.(納斯達(dá)克代碼:QRVO)推出使用市售智能手機(jī)運(yùn)行基于超寬帶技術(shù) (UWB) 的室內(nèi)導(dǎo)航系統(tǒng)。該室內(nèi)導(dǎo)航系統(tǒng)可為電子設(shè)備提供高精度網(wǎng)絡(luò),以在 GPS 和其他衛(wèi)星技術(shù)缺乏精度或完全失效的情況下,例如多層建筑、停車庫和地...
2023-01-12
Qorvo UWB 室內(nèi)導(dǎo)航系統(tǒng)
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使用虛擬實驗設(shè)計預(yù)測先進(jìn)FinFET技術(shù)的工藝窗口和器件性能
負(fù)載效應(yīng) (loading) 的控制對良率和器件性能有重大影響,并且它會隨著 FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)器件工藝的持續(xù)微縮變得越來越重要[1-2]。當(dāng)晶圓的局部刻蝕速率取決于現(xiàn)有特征尺寸和局部圖形密度時,就會發(fā)生負(fù)載效應(yīng)??涛g工藝 loading 帶來的器件結(jié)構(gòu)上的微小變化可能會對器件良率和性能產(chǎn)生負(fù)...
2023-01-11
虛擬實驗設(shè)計 FinFET技術(shù)
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能讓檢測設(shè)備擺脫電池的熱能收集技術(shù)
能量收集(energy harvesting)是指從環(huán)境或系統(tǒng)本身,收集為電子設(shè)備供電所需的能量;更具體地說,熱能收集是將收集自發(fā)熱源的熱能,轉(zhuǎn)化為電能。
2023-01-11
檢測設(shè)備 電池 熱能收集技術(shù)
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以獨(dú)特產(chǎn)品設(shè)計競逐微控制器賽道,ADI低功耗MCU加速物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用落地
無論是黑燈工廠里設(shè)備的有序運(yùn)行,還是溫馨家居中電器的自動感知,抑或是數(shù)字醫(yī)療中的體征信號數(shù)據(jù)采集,微控制器(MCU)幾乎是解決一切有控制需求場景的“萬能鑰匙”。近年來,隨著物聯(lián)網(wǎng)走入更廣泛的場景,例如可穿戴設(shè)備、遠(yuǎn)程測控、無線傳感等諸多應(yīng)用中,衍生出大量的低功耗類數(shù)據(jù)采集和控制需求...
2023-01-11
微控制器 ADI MCU
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碳化硅器件動態(tài)特性測試技術(shù)剖析
提到動態(tài)特性,大家的第一反應(yīng)一定是開關(guān)特性,這確實是功率器件的傳統(tǒng)核心動態(tài)特性。由于其是受到器件自身參數(shù)影響的,故器件研發(fā)人員可以根據(jù)開關(guān)波形評估器件的特性,并有針對性地進(jìn)行優(yōu)化。另外,電源工程師還可以基于測試結(jié)果對驅(qū)動電路和功率電路設(shè)計進(jìn)行評估和優(yōu)化。
2023-01-10
碳化硅器件 動態(tài)特性 測試技術(shù)
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