中心議題：
- IGBT 的工作原理
- IGBT的保護(hù)措施
- 在IGBT的驅(qū)動電路中設(shè)置柵極壓限幅電路
- 給IGBT主電路設(shè)置關(guān)斷緩沖吸收電路
- 計保護(hù)電路為立即保護(hù)型
- 在短路和過載時能切斷IGBT的輸入
弧焊逆變電源廣泛應(yīng)用于造船、機(jī)械、汽車、電力、化工、石油、輕工業(yè)、航天、國防工業(yè)等 部門。近年來大功率電力電子器件IGBT以其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)受到眾多廠家的青睞，并逐步應(yīng)用于現(xiàn)代弧焊逆變電源中。然而弧焊逆變電源工作環(huán)境惡劣，其負(fù)載決定了其工作電流變化劇烈。
如果我們對IGBT性能和特點(diǎn)存在模糊認(rèn)識并且在控制方法和保護(hù)技術(shù)等方面未采取有效的措施，則很有可能會損壞IGBT，從而使人們開始懷疑IGBT的質(zhì)量是否真正符合資料上所列出的各項參數(shù)。本文針對以上問題介紹了一種應(yīng)用電路硬件保護(hù)和單片機(jī)控制程序保護(hù)相結(jié)合的方法來對 IGBT進(jìn)行有效的保護(hù)。
IGBT 的工作原理
1 IGBT結(jié)構(gòu)
IGBT結(jié)構(gòu)上與MOSFET十分相似，只是多了一個
層，引出作為發(fā)射極，柵極、集電極與MOSFET完全相似。其簡化等效電路如圖1所示。
IGBT的工作原理：IGBT由柵極電壓正負(fù)來控制。當(dāng)加上正柵極電壓時，絕緣柵下形成溝道，MOSFET導(dǎo)通，相當(dāng)于
接到E，為PNP晶體管提供了流動的基極電流，從而使PNP管（即整個IGBT）導(dǎo)通。當(dāng)加上負(fù)柵極電壓時，IGBT工作過程相反，形成關(guān)斷。
2 IGBT安全工作區(qū)
在IGBT開關(guān)過程中，大電流和大電壓的重疊造成主要的功耗，同時承受較高的di/dt和dv/dt即電流電壓應(yīng)力。特別是運(yùn)行在PWM硬開關(guān)狀態(tài)下， 這是影響可靠性的重要原因。為了保證其安全可靠的工作，不僅有電流電壓的限制，還必需使其動態(tài)過程的運(yùn)行軌跡在安全工作區(qū)內(nèi)。
如圖2所示，正偏安全工作區(qū) FBSOA是指柵極加正向電壓時的安全工作區(qū)，對應(yīng)于導(dǎo)通狀態(tài)。三條邊界分別對應(yīng)允許電流、允許電壓和允許功耗。隨著導(dǎo)通時間增長，功耗和溫升增加，安全工作區(qū)縮小。
IGBT關(guān)斷時為反向偏置，對應(yīng)安全工作區(qū)為反偏安全工作區(qū)RBSOA。除了電流電壓邊界外，另一邊界為器件關(guān)斷后的重加電壓上升率。因此，電壓變化率越大，安全工作區(qū)越小。實(shí)際上就是因為IGBT動態(tài)擎住效應(yīng)的限制的緣故。
所以在弧焊逆變電源的設(shè)計中，限制過電流和過電壓、改善器件的運(yùn)行特性以及降低功耗，都有重要的意義。在不同的工作狀態(tài)下，保證IGBT在安全工作范圍內(nèi)并處于較好狀態(tài)下，是提高整機(jī)可靠性的關(guān)鍵技術(shù)。
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IGBT的保護(hù)措施
由于其結(jié)構(gòu)和安全工作區(qū)知IGBT的可靠與否主要由以下因素決定：
1、柵極與發(fā)射極電壓
2、集電極與發(fā)射極電壓
3、流過集電極的電流
4、IGBT的結(jié)溫
以上的四個因素在工作環(huán)境惡劣的弧焊逆變電源中都是需要注意的，尤其是第二項和第三項是我們在設(shè)計保護(hù)電路中重點(diǎn)考慮的內(nèi)容。
1 IGBT柵極的保護(hù)
IGBT的柵極－發(fā)射極驅(qū)動電壓
的保證電壓為+/-20V ，因此在IGBT的驅(qū)動電路應(yīng)當(dāng)設(shè)置柵極壓限幅電路；另外由于焊接電源設(shè)備工作環(huán)境非常惡劣，在運(yùn)輸或振動過程中可能會使柵極回路斷開，這時如果電源設(shè)備開始工作，則隨著集電極電位的變化，由于柵極與與集電極和發(fā)射極之間寄生電容的存在，使得柵極電位升高，集電極－發(fā)射極間有電流流過。
這時若集電極和發(fā)射極處于高壓狀態(tài)時，會使IGBT發(fā)熱，極易引起IGBT損壞。為防止此類情況發(fā)生，可在IGBT的柵極與發(fā)射極間并接一只50~100歐姆的電阻，此電阻應(yīng)盡量靠近柵極與發(fā)身極。如圖3所示。
2 集電極與發(fā)射極的過壓保護(hù)
弧焊逆變電源進(jìn)入焊接狀態(tài)時，輸出端即從空載轉(zhuǎn)入接近短路狀態(tài)，這時要求輸出電流必須處于所需要的恒定狀態(tài)。理論上，采用恒流閉環(huán)控制系統(tǒng)即可以控制電源的短路電流，但實(shí)際短路時，輸出電壓很低，即IGBT的工作脈寬很窄，才能保證輸出電流恒定，這就造成了IGBT在很短的導(dǎo)通期間，吸收電容未分放電而馬上關(guān)斷，且因分布電感和漏感的影響，IGBT的關(guān)斷是在承受較高的反壓下進(jìn)行的，極易使IGBT損壞。
為了使IGBT關(guān)斷過電壓能得到有效的抑制并減少關(guān)斷損耗，需要給IGBT主電路設(shè)置關(guān)斷緩沖吸收電路。IGBT的關(guān)斷緩沖吸收電路分為充放電型和放電阻止型，從吸收過電壓的能力上來說，充放電型效果較好，所以可在弧焊逆變電源中的IGBT過壓保護(hù)緩沖電路可采用圖4所示緩沖吸收電路：
在此硬件電路的基礎(chǔ)上，結(jié)合單片機(jī)的控制系統(tǒng)可檢測輸出電壓低于某一設(shè)定值時，單片機(jī)便認(rèn)為負(fù)載電弧是處于短路狀態(tài)，這時單片機(jī)便對IGBT的最小脈沖寬度進(jìn)行限制，以保證吸收電容有足夠的放電時間，從而降低IGBT的關(guān)斷反向電壓。
同時為保證輸出電流恒定，單片機(jī)在判斷輸出為短路時將逆變器的等脈沖寬度調(diào)節(jié)（PWM）變?yōu)轭l率調(diào)節(jié)控制（PFM），即脈沖分頻控制，輸出電壓越低，輸出脈沖的頻率越低。其單片機(jī)程序過程如圖5所示：
這與傳統(tǒng)的簡單限流或直接關(guān)閉IGBT的控制方式有本質(zhì)的區(qū)別，它是利用單片機(jī)的智能性改變其工作方式來保護(hù)IGBT的安全，從而可靠的保證IGBT的安全。
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3 過流保護(hù)
過流對IGBT來說，是產(chǎn)生原因最復(fù)雜、發(fā)生次數(shù)最多、損壞概率最高的事件，也是國內(nèi)弧焊逆變電源容易損壞的主要原因。IGBT正常工作時，導(dǎo)通期間的電流包括開通時的尖峰、折算到原邊的焊接電流和關(guān)斷時的拖尾電流。
在設(shè)計IGBT的過流保護(hù)時，主要可采取以下三條措施：首先選擇IGBT器件時，使其最大工作電流只占IGBT 的30%左右，其目的就是要使IGBT的安全工作區(qū)盡可能在一些，以避免IGBT的擎住效應(yīng)；其次針對元器件失效等偶發(fā)性故障，如輸出失控、IGBT損壞、功率變壓器擊穿、短路、高頻整流快恢復(fù)二極管損壞引起的過電流行為.
應(yīng)設(shè)計保護(hù)電路為立即保護(hù)型。即保護(hù)電路動作后，切斷供電電源，停止逆變電源工作；最后，對元器件并沒有失效，而是由于某種其它原因如負(fù)載突然加大造成的過流，可嘗試采用一種慢降柵壓的電路來實(shí)現(xiàn)如圖6：
如果單片機(jī)在延時結(jié)束后，故障信號仍存在則由單片機(jī)切斷所有IGBT的輸入脈沖，設(shè)備停止工作，此時要通過手動復(fù)位才能恢復(fù)正常工作。這種電路既能保護(hù)逆變電路和IGBT的安全，又不會在瞬時過流時中斷逆變電源工作所以是一種非常有效的保護(hù)方式。
4 過熱保護(hù)
在焊接工作時由于工作環(huán)境惡劣，流過IGBT電流很大，并且開關(guān)頻率較高，所以器件的損耗也較大，如果熱量不能及時散掉，使結(jié)溫Tj超過Tmax ，則會引起IGBT的損壞，在熱設(shè)計時還要考慮在短路和過載時，IGBT也不能過熱而損壞。
適當(dāng)加大散熱系統(tǒng)是保護(hù)焊接電源正常工作的必要條件，但由于散熱系統(tǒng)不可能無限制擴(kuò)大，所以要在靠近IGBT處安裝一溫度繼電器來檢測IGBT的工作溫度。當(dāng)溫度超過所設(shè)定的最高溫度時切斷IGBT的輸入，保護(hù)其安全。
最后：本文介紹了利用硬件保護(hù)電路并結(jié)合單片機(jī)的程序?qū)『改孀冸娫粗蠭GBT進(jìn)行保護(hù)的方法和措施。該方法不僅從硬件電路上設(shè)計了可靠的保護(hù)電路，而且還利用單片機(jī)的程序來對設(shè)備工作狀態(tài)進(jìn)行判斷后選擇工作方式來間接對IGBT進(jìn)行保護(hù).
這樣不僅保護(hù)了IGBT的安全還保證了該電源即使在惡劣的環(huán)境的中也能可靠穩(wěn)定的工作。所以在實(shí)際應(yīng)用中只要我們考慮到IGBT的不同容量、型號并參考以上方法采取相應(yīng)的保護(hù)措施就可以達(dá)到滿意的效果。
