【導讀】中科院電子研究所在N型和P型 MOS 電容上取得了 EOT≦8.5 、漏電流降低3個數(shù)量級以及金屬閘主動功函數(shù)距硅晶能隙距離≦0.2eV的成果，成功研發(fā)出組件性能進一步提升的22nm MOSFET 組件。
中國科學院微電子研究所(IMECAS)宣布在22奈米 CMOS制程上取得進展，成功制造出高K金屬閘 MOSFET 。中科院指出，中國本土設計與制造的22nm組件展現(xiàn)出更高性能與低功耗。
根據(jù)中科院微電子研究所集成電路先導工藝研發(fā)中心表示，這項研發(fā)項目并結合來自北京大學、清華大學、復旦大學以及中科院微系統(tǒng)所的研究人員們經(jīng)過3年的共同努力，于近期取得了突破性進展。
針對22nm CMOS技術節(jié)點的挑戰(zhàn)，該產(chǎn)學研發(fā)團隊在N型和P型 MOS 電容上取得了 EOT≦8.5 、漏電流降低3個數(shù)量級以及金屬閘主動功函數(shù)距硅晶能隙距離≦0.2eV的成果，成功研發(fā)出組件性能進一步提升的22nm MOSFET 組件。
中科院微電子研究所與微系統(tǒng)所、北京大學、清華大學、復旦大學的開發(fā)團隊們已完成了1369項專利申請(國際專利申請424項)，其中高K/金屬閘極制程及相關專利、金屬堆棧結構及其它專利已開始在中國制造廠導入開發(fā)。
中科院指出，導入中國自行開發(fā)的22nm IC技術，將可為中國節(jié)省進口國外芯片或制程技術的龐大費用，并提升中國國產(chǎn)IC的競爭力。
22/20-nm先進制程技術才剛導入商用領域，該技術之以受到重視要在于它能為智能型手機與平板計算機降低功耗，從而實現(xiàn)更長的電池壽命。然而，中國在22nm晶體管技術開發(fā)道路上約落后西方2-4年。英特爾(Intel)先前已量產(chǎn)22nm FinFET 制程組件，而臺積電(TSMC)也預計將在2013年量產(chǎn)20nm 平面 CMOS 制程。
多年來，在 CoCom 輸出條款以及 Wassennaar 協(xié)議的限制下，中國先進電子制造技術領域一直因為無法取得外來高科技產(chǎn)品與技術而使其發(fā)展受阻。然而，近年來，中國已透過一系列的外來制技術授權以及自我教育而逐漸迎頭趕上。中國本土的晶圓代工廠中芯國際(SMIC)目前已有能力提供商用40nm CMOS 制程。
根據(jù)中國新華社的報導，中國展開先進22nm晶體管制造屬于2009年國家重大科技專項的一部份。
