經(jīng)驗(yàn)分享:一種操作簡單的防短路保護(hù)方法
發(fā)布時(shí)間:2014-05-13 責(zé)任編輯:sherryyu
【導(dǎo)讀】通常短路保護(hù)都是使用保險(xiǎn)絲,只要電流一大,保險(xiǎn)絲就自動(dòng)熔斷。用保險(xiǎn)絲的方法雖然簡單,但需要增加成本,另外保險(xiǎn)絲熔斷需要一段時(shí)間,電流過大時(shí)就有可能出現(xiàn)保險(xiǎn)絲還沒熔斷,器件已經(jīng)被燒毀的情況。那么有什么別的方法來防止電路短路呢?起到短路保護(hù)的作用呢?本文將為大家講解。
前段時(shí)間開發(fā)了一個(gè)產(chǎn)品,由單片機(jī)控制對(duì)負(fù)載供電,滿負(fù)載時(shí)基準(zhǔn)電流為800毫安,程序提供不同的供電模式,具體是由單片機(jī)輸出一個(gè)PWM信號(hào)控制MOS管,從而按要求調(diào)整工作電流。我們知道MOS管導(dǎo)通時(shí)內(nèi)阻非常小,我們所用的型號(hào)約為0.1歐姆的樣子,這樣正常工作時(shí)上面最大壓降非常小,只有800毫安*0.1歐姆=0.08伏,上面的功率損耗為0.064瓦,對(duì)于電源控制來說是一種效果不錯(cuò)的器件。
雖然MOS管導(dǎo)通內(nèi)阻非常小,但所流過的電流也有最大限制,如果電流過大,比如外接負(fù)載短路,同樣會(huì)被燒毀。短路都是非正常工作狀態(tài),本來一開始我們并沒有對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行短路保護(hù)考慮,在調(diào)試中一次意外讓我們把開始考慮增加短路保護(hù)。當(dāng)時(shí)裝好一塊新板,控制信號(hào)測(cè)試都已經(jīng)正常,想看看接上負(fù)載的情況,當(dāng)時(shí)圖方便直接將負(fù)載的兩條線用手按接在板上,結(jié)果一動(dòng)導(dǎo)致這兩點(diǎn)短路,“啪”的一聲脆響,一團(tuán)火花后是青煙裊裊,MOS管燒了。
通常短路保護(hù)都是使用保險(xiǎn)絲,只要電流一大,保險(xiǎn)絲就自動(dòng)熔斷。用保險(xiǎn)絲的方法雖然簡單,但需要增加成本,另外保險(xiǎn)絲熔斷需要一段時(shí)間,電流過大時(shí)就有可能出現(xiàn)保險(xiǎn)絲還沒熔斷,器件已經(jīng)被燒毀的情況。讓我們先來看一下器件燒毀的原因,可以肯定是流過器件的電流過大,內(nèi)部所發(fā)的熱量無法及時(shí)傳遞出去,從而導(dǎo)致溫度急劇升高,最后被燒毀。
注意這里我說的是電流過大,并不是說電壓過高,這么說是想強(qiáng)調(diào)有時(shí)候雖然電壓很高,但這個(gè)電壓并不能產(chǎn)生持續(xù)的大電流,比如人身上的靜電很容易就高達(dá)幾千伏,這么高的電壓并不能燒毀任何器件。究其原因就是人身上的靜電雖然高,但可以通過接地的導(dǎo)體迅速釋放掉,不能形成持續(xù)的大電流,放電過程釋放的能量并不大,這個(gè)能量不足以燒毀器件。到這里我想大家應(yīng)該明白了,器件的燒毀唯一的條件就是足夠的能量釋放在它上面,器件不能通過熱傳遞將這些能量轉(zhuǎn)移出去,溫度急劇升高而燒毀。
既然可以用能量的觀點(diǎn)來解釋燒毀,那如果短路的時(shí)間非常短,雖然流過的電流很大,但時(shí)間更短,是不是就不會(huì)燒毀器件了呢?理論上分析這種想法是對(duì)的,只要我們能夠檢測(cè)出短路,而且一短路就能切斷電源,器件就應(yīng)該不會(huì)被燒毀。
因?yàn)楫a(chǎn)品所用的單片機(jī)有多余的ADC口,于是我們用多余的ADC口來檢測(cè)電流,做法是在負(fù)載與地之間串聯(lián)一個(gè)0.22歐姆的小電阻,用ADC檢測(cè)這個(gè)電阻對(duì)地的電壓。正常工作的滿負(fù)載電流為800毫安,在這個(gè)電阻上的壓降為800毫安*0.22歐姆=0.176伏,如果ADC口檢測(cè)到的電壓達(dá)到這個(gè)值的三倍,我們就認(rèn)為短路發(fā)生,立即將MOS管的輸出關(guān)斷,每10毫秒檢測(cè)一次該電壓,發(fā)現(xiàn)電壓超標(biāo)就關(guān)斷MOS管100毫秒。測(cè)試結(jié)果證明前面的假設(shè)正確,加上這樣的處理后輸出無論怎樣短路,都不會(huì)燒毀MOS管,而且一旦短路消除可以迅速恢復(fù)輸出。
說明:需要另外加一個(gè)電阻進(jìn)行電流檢測(cè)是我們用NMOS來控制電源輸出,NMOS的導(dǎo)通內(nèi)阻比PMOS要小,通常是接在負(fù)載的正端,如果直接利用NMOS管的內(nèi)阻來檢測(cè)電流會(huì)比較麻煩,用另外一個(gè)小電阻串接在負(fù)載的負(fù)端到地會(huì)更簡便,只是效率會(huì)略有下降。
注釋:靜電損壞器件是擊穿,和燒毀是兩個(gè)概念,不要混淆在一起。
相關(guān)閱讀:
特別推薦
- 高精度低噪聲 or 大功率強(qiáng)驅(qū)動(dòng)?儀表放大器與功率放大器選型指南
- 高壓BMS:電池儲(chǔ)能系統(tǒng)的安全守護(hù)者與壽命延長引擎
- 2025西部電博會(huì)啟幕在即,中文域名“西部電博會(huì).網(wǎng)址”正式上線
- IOTE 2025上海物聯(lián)網(wǎng)展圓滿收官!AIoT+5G生態(tài)引爆智慧未來
- 如何設(shè)計(jì)高性能CCM反激式轉(zhuǎn)換器?中等功率隔離應(yīng)用解析
- 攻克次諧波振蕩:CCM反激斜坡補(bǔ)償?shù)墓β史旨?jí)指南
- 羅姆助力英偉達(dá)800V HVDC重塑AI數(shù)據(jù)中心能源架構(gòu)
技術(shù)文章更多>>
- 安森美SiC技術(shù)賦能AI數(shù)據(jù)中心,助力高能效電源方案
- 馴服電源幽靈:為敏感器件打造超低噪聲供電方案
- 芯耀蓉城!西部電博會(huì)半導(dǎo)體專區(qū)全產(chǎn)業(yè)鏈集結(jié)
- 羅姆助力英偉達(dá)800V HVDC重塑AI數(shù)據(jù)中心能源架構(gòu)
- 攻克次諧波振蕩:CCM反激斜坡補(bǔ)償?shù)墓β史旨?jí)指南
技術(shù)白皮書下載更多>>
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
熱門搜索
壓控振蕩器
壓力傳感器
壓力開關(guān)
壓敏電阻
揚(yáng)聲器
遙控開關(guān)
醫(yī)療電子
醫(yī)用成像
移動(dòng)電源
音頻IC
音頻SoC
音頻變壓器
引線電感
語音控制
元件符號(hào)
元器件選型
云電視
云計(jì)算
云母電容
真空三極管
振蕩器
振蕩線圈
振動(dòng)器
振動(dòng)設(shè)備
震動(dòng)馬達(dá)
整流變壓器
整流二極管
整流濾波
直流電機(jī)
智能抄表