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如何測量LDO噪聲
噪聲分為兩類：內(nèi)部噪聲和外部噪聲。內(nèi)部噪聲是不可避免的，每個電子設(shè)備都會產(chǎn)生內(nèi)部噪聲。LDO 由理想的源供電，這意味著它不受外界影響，因此在輸入端沒有外部噪聲 (雖然 LDO 在輸出端確實有內(nèi)部噪聲)。外部噪聲是由外界影響(輸入處的紋波——實際源) 產(chǎn)生的各種噪聲。輸入波紋與電源抑制比 (PSRR) ...
2023-04-19
LDO噪聲
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PFC電路：柵極電阻的更改
在實際的電路設(shè)計工作中，降噪是的一項重大課題，通常，可以通過提高開關(guān)器件的柵極電阻來抑制噪聲，但其代價是效率降低（損耗增加），因此很好地權(quán)衡柵極電阻值的設(shè)置是非常重要的。在本文中，我們來探討當將開關(guān)器件的損耗抑制在規(guī)定值以下時，最大柵極電阻RG的情況。另外，由于噪聲需要實際裝機...
2023-04-14
PFC電路 柵極電阻
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藍牙低功耗器件選型指南
安森美(onsemi)的藍牙?低功耗（Bluetooth LE）器件在業(yè)界掀起浪潮有好幾年了。2017年，安森美發(fā)布了RSL10，這是其在Bluetooth LE領(lǐng)域的第一款產(chǎn)品。隨后在2021年發(fā)布了RSL15，此后安森美繼續(xù)以Bluetooth LE的規(guī)格開發(fā)新器件。每種器件都有多個系列產(chǎn)品，因此我們準備了一些實用的知識點，幫助您為您...
2023-04-12
藍牙 低功耗器件 選型
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如何根據(jù)額定電壓為RS-232、RS-485和CAN選擇TVS二極管
在許多工業(yè)和汽車應用中，保護接口收發(fā)器免受各種電過應力事件的影響是一個主要問題。瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 二極管常用于上述用途，因為它們可以通過生成低阻抗電流路徑來鉗制電壓尖峰。
2023-04-10
RS-485 CAN TVS二極管
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米勒電容、米勒效應和器件與系統(tǒng)設(shè)計對策
搞電力電子的同學想必經(jīng)常被“米勒效應”這個詞困擾。米勒效應增加開關(guān)延時不說，還可能引起寄生導通，增加器件損耗。那么米勒效應是如何產(chǎn)生的，我們又該如何應對呢？
2023-03-24
米勒電容 米勒效應 系統(tǒng)設(shè)計
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最大限度保持系統(tǒng)低噪聲
在這個互聯(lián)程度日益提高的世界中，我們正在越來越多地依賴各種電子儀器和設(shè)備，以及其中包含的半導體器件。因此，我們會發(fā)現(xiàn)，市場對于能夠管理電磁干擾 (EMI) 和無線電頻譜中射頻干擾 (RMI) 組件的需求比以往任何時候都高，這并不足為奇。
2023-03-24
系統(tǒng)低噪聲 KEMET
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半導體保險絲/高速熔斷器選型指導
高速熔斷器作為保護半導體的器件，通過其本體的電流可能是直流，也可能是交流，或者是脈沖電流，因此計算等效工作電流是熔斷器選型的第一步驟。
2023-03-20
保險絲 高速熔斷器 選型
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在橋式結(jié)構(gòu)中的注意事項 — 探頭的CMRR
在對橋式結(jié)構(gòu)中的高邊（HS）MOSFET進行測試時，通常使用高壓差分探頭或差分探頭（*4）來觀測波形，但所用探頭的共模抑制比（CMRR）在高頻區(qū)域可能會降低，波形波動可能會增加。尤其是在測量柵-源電壓VGS時，涉及到測量幾伏級的浪涌，因此需要區(qū)分觀測到的波形是原始波形還是CMRR不足引起的波動波形。
2023-03-16
橋式結(jié)構(gòu) 探頭 CMRR
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P系列定壓電源模塊的EMC性能
在隔離通訊、隔離驅(qū)動、隔離采樣放大等應用場景需要功率1~3W的隔離電源。我司P系列電源模塊為此量身設(shè)計，具有高隔離耐壓、小隔離電容，優(yōu)秀的EMC性能。只需簡單的外圍電路，就能實現(xiàn)優(yōu)秀的EMC性能。
2023-03-08
電源模塊 EMC
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