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如何使用珀?duì)柼b置實(shí)現(xiàn)更高功率的熱電冷卻
TEC使用珀?duì)柼K來冷卻物體或提供物體的準(zhǔn)確溫度控制，可用于多種應(yīng)用。它們是激光二極管冷卻器、微處理器冷卻、聚合酶鏈反應(yīng)(PCR)系統(tǒng)以及斷層掃描、心血管成像、磁共振成像(MRI)、放射治療等醫(yī)療應(yīng)用的理想之選。激光二極管溫度控制等許多應(yīng)用都使用功率在5 W至15 W范圍內(nèi)的小型低功耗TEC。它們...
2024-07-23
珀?duì)柼b置 熱電冷卻
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使用數(shù)字孿生實(shí)現(xiàn)電池管理系統(tǒng) (BMS) 測試自動化
電池管理系統(tǒng) (BMS) 監(jiān)控和控制電動飛機(jī)和電動汽車等車輛中的電池。它需要在正常和極端條件下進(jìn)行嚴(yán)格測試，以證明其質(zhì)量和完整性。使用模擬電池進(jìn)行測試非常有益，因?yàn)榭梢钥焖?、反?fù)地安全地測試各種條件，而不會冒著寶貴硬件的風(fēng)險(xiǎn)。這種硬件在環(huán)測試簡化了質(zhì)量保證并跟上了創(chuàng)新的步伐。
2024-07-23
數(shù)字孿生 電池管理系統(tǒng) 測試自動化
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借助電源完整性測試提高人工智能數(shù)據(jù)中心的能效
數(shù)據(jù)中心正在部署基于人工智能 (AI) 的技術(shù)，處理器密集型服務(wù)器正在推動能源需求的增長，下表說明了這種發(fā)展趨勢所帶來的巨大影響。國際能源署 (IEA) 預(yù)測，到 2030 年，數(shù)據(jù)中心的耗電量將占全球耗電量的 7%，相當(dāng)于印度全國的耗電量。
2024-07-19
電源 人工智能 數(shù)據(jù)中心
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基于熱性能的NIS(V)3071 PCB設(shè)計(jì)考慮因素
單片電子保險(xiǎn)絲（eFuse）NIS(V)3071能夠提供高達(dá)10 A 連續(xù)電流，在設(shè)計(jì)它的PCB時(shí)熱性能是重要的考量因素，在設(shè)計(jì)PCB熱特性時(shí)，需要考慮eFuse的兩種工作模式：軟開關(guān)開通階段和穩(wěn)定工作狀態(tài)。在軟開關(guān)開通階段，eFuse的短期功率耗散可達(dá)幾十瓦，而穩(wěn)定工作狀態(tài)時(shí)則可能為幾瓦。本文將通過比較四層和...
2024-07-18
熱性能 NIS PCB設(shè)計(jì)
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GaN正在加速電機(jī)驅(qū)動中的應(yīng)用
無刷直流電機(jī)（BLDC）在機(jī)器人、電動工具、家電和無人機(jī)中的應(yīng)用越來越多。這些應(yīng)用要求設(shè)備具備輕便、小巧、低轉(zhuǎn)矩脈動、低噪音和極高的精度控制。為了滿足這些需求，驅(qū)動電機(jī)的逆變器需要以更高頻率運(yùn)行，同時(shí)需要先進(jìn)的技術(shù)來減少由此產(chǎn)生的更高功率損耗。
2024-07-12
GaN 電機(jī)驅(qū)動
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電源PCB電感安放指南
用于電壓轉(zhuǎn)換的開關(guān)穩(wěn)壓器通常使用電感來臨時(shí)存儲能量，這些電感的尺寸通常非常大，必須在開關(guān)穩(wěn)壓器的印刷電路板(PCB)布局中為其安排位置。這項(xiàng)任務(wù)并不難，因?yàn)橥ㄟ^電感的電流可能會變化，但并非瞬間變化，可能是連續(xù)的，通常相對緩慢。
2024-07-03
電源 PCB 電感
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這幾個(gè)最為常見的放大器電路設(shè)計(jì)問題，你掉過坑嗎？
與分立半導(dǎo)體組件相比，使用運(yùn)算放大器和儀表放大器能 給設(shè)計(jì)師帶來顯著優(yōu)勢。雖然有關(guān)電路應(yīng)用的著述頗豐， 但由于設(shè)計(jì)電路時(shí)往往匆忙行事，因而忽視了一些基本問題，結(jié)果使電路功能與預(yù)期不符。在此，咱們論述幾個(gè)最為常見的設(shè)計(jì)問題并提出實(shí)用的解決方案~
2024-07-01
放大器 電路設(shè)計(jì)
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過孔蓋油：優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)
術(shù)語“過孔蓋油”是指用阻焊層（阻焊油墨）或類似材料覆蓋過孔，通常覆蓋在 PCB 的兩面。過孔是一類電鍍孔，允許信號在 PCB 各層之間傳輸。對過孔進(jìn)行蓋油處理，是指在焊盤和孔上涂上一層阻焊油墨，覆蓋一層不導(dǎo)電的材料。如下表所示，過孔蓋油有利也有弊。應(yīng)根據(jù) PCB 設(shè)計(jì)項(xiàng)目的具體要求和限制仔細(xì)考...
2024-06-29
過孔蓋油
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凹槽柵極技術(shù)革新 E－Mode GaN 晶體管
GaN 是一種二元化合物，由一個(gè)鎵原子（III 族，Z = 31）和一個(gè)氮原子（V 族，Z = 7）組成，具有纖鋅礦六方結(jié)構(gòu)。鎵原子和氮原子通過非常強(qiáng)的離子化學(xué)鍵結(jié)合在一起，從而產(chǎn)生很大的能帶隙。
2024-06-28
凹槽柵極技術(shù) E－Mode GaN 晶體管
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