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SMNH:Vishay新款超高精度Bulk Metal箔四電阻網(wǎng)絡(luò)

發(fā)布時(shí)間:2009-08-20

Vishay推出新款超高精度Bulk Metal®箔四電阻網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品特性:
  • 優(yōu)異的負(fù)載壽命、負(fù)載壽命比和貯存壽命穩(wěn)定性
  • 將四個單獨(dú)的箔電阻整合,更有效地利用電路板空間
  • 陶瓷鷗翼型封裝,提供了電隔離和良好的散熱能力
  • 阻值范圍是5Ω~33kΩ,阻值比為1:1~100:1
應(yīng)用范圍: 日前,Vishay宣布,推出具有優(yōu)異的負(fù)載壽命、負(fù)載壽命比和貯存壽命穩(wěn)定性特性的超高精度Bulk Metal箔四電阻網(wǎng)絡(luò) -- SMNH電阻網(wǎng)絡(luò)。

新的氣密SMNH電阻網(wǎng)絡(luò)中每個電阻都在0.1W、+70℃下工作1000小時(shí)后,負(fù)載壽命穩(wěn)定率為0.005%,負(fù)載壽命穩(wěn)定性比為0.005%(50ppm)。不僅如此,該器件還具有優(yōu)異的貯存壽命穩(wěn)定性,每個電阻的貯存壽命穩(wěn)定性為0.0002%(2ppm),在至少6年內(nèi)貯存壽命穩(wěn)定性比為0.0001%(1ppm)。除了這些嚴(yán)格的穩(wěn)定性指標(biāo),采用8引腳、表面貼裝陶瓷鷗翼型封裝的SMNH在-55℃~+125℃、+25℃參考溫度下還具有低至±2ppm/℃的TCR、±0.5ppm/℃的典型TCR跟蹤,以及低至±0.005%(50ppm)的匹配容差。

SMNH電阻網(wǎng)絡(luò)將四個單獨(dú)的Bulk Metal箔電阻整合進(jìn)一個表面貼裝的封裝內(nèi),具有比分立電阻和成套電阻更好的性能,能更有效地利用電路板空間,且可以單獨(dú)或是成對使用。

SMNH的陶瓷鷗翼型封裝在器件的底面提供了電隔離和良好的散熱能力,電阻網(wǎng)絡(luò)的氣密封裝提高了已經(jīng)固有的穩(wěn)定的環(huán)境性能。

SMNH的阻值范圍是5Ω~33kΩ,阻值比為1:1~100:1。Vishay的箔電阻不僅限于提供標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值,可以按需提供特定的阻值(如1.2345kΩ對1kΩ),且無需額外的成本或供貨時(shí)間。

采用其他技術(shù)的電阻需要數(shù)秒鐘或數(shù)分鐘才能達(dá)到穩(wěn)態(tài)熱穩(wěn)定,SMNH網(wǎng)絡(luò)可以在1秒鐘內(nèi)立刻實(shí)現(xiàn)熱穩(wěn)定,1.0ns的上升時(shí)間幾乎測不出來,而且沒有振鈴現(xiàn)象。

器件在70℃下的功率等級為0.4W(或每個電阻0.1W),電流噪聲小于-40dB,電壓系數(shù)小于0.1ppm/V。該電阻網(wǎng)絡(luò)提供無感、無熱點(diǎn)設(shè)計(jì),絕佳的ESD免疫使器件可承受25kV的靜電放電,提高了可靠性。

SMNH中的所有電阻都是采用同樣的Bulk Metal箔合金專利技術(shù)生產(chǎn)的,這種合金的特性被業(yè)界所熟知并且是可控的。合金沒有采用常規(guī)技術(shù)的沉積方法,大約比常規(guī)的蒸鍍薄膜厚100倍。Vishay的電阻元件用照相法刻蝕成各種電阻樣式,用這種方法可以將阻值的容差調(diào)節(jié)成0.01%(100ppm)的標(biāo)準(zhǔn)容差,或根據(jù)需要調(diào)節(jié)為0.005%(50ppm)。

Vishay的密封電阻網(wǎng)絡(luò)內(nèi)所采用的電阻芯片取自固定的產(chǎn)品目錄。由于不需要設(shè)計(jì)模具或進(jìn)行工藝試驗(yàn),這樣可以迅速推出原型產(chǎn)品。通常不需要改變制造工程或設(shè)備,也沒有最小批量的要求。成品采用小型氣密封裝,具有與箔電阻同等的穩(wěn)定性。

電阻網(wǎng)絡(luò)采用鍍金的無鉛端子,所采用的Z箔技術(shù)將TCR提高到到了±0.05ppm/℃。SMNH電阻網(wǎng)絡(luò)現(xiàn)可提供樣品,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),樣品的供貨周期為兩周,標(biāo)準(zhǔn)訂貨的供貨周期為四周。
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