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iP2010/2011:IR率先推出行業(yè)首批商用氮化鎵集成功率級器件

發(fā)布時間:2010-03-10 來源:電子元件技術(shù)網(wǎng)

產(chǎn)品特性:
  • 集成先進的超快速PowIRtune驅(qū)動器IC
  • 高達5MHz的開關(guān)能力
  • 采用細小占位面積的LGA封裝
應(yīng)用范圍:
  • 服務(wù)器、路由器、交換機以及通用POL DC-DC轉(zhuǎn)換器

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商–國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出行業(yè)首個商用集成功率級產(chǎn)品系列,采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負載點 (POL) 應(yīng)用設(shè)計的,包括服務(wù)器、路由器、交換機,以及通用POL DC-DC轉(zhuǎn)換器。

iP2010和iP2011集成了非常先進的超快速PowIRtune驅(qū)動器IC,并匹配一個多開關(guān)單片氮化鎵功率器件。這些器件貼裝在一個倒裝芯片封裝平臺上,可帶來比最先進的硅集成功率級器件更高的效率和超出雙倍的開關(guān)頻率。

IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“我們?yōu)镈C-DC應(yīng)用推出的這個氮化鎵功率器件系列預(yù)示著一個高頻率、高密度、高效電源轉(zhuǎn)換解決方案的全新時代,更重申了IR在創(chuàng)新電源管理設(shè)計方面的領(lǐng)先地位。”

潘先生補充道:“iP201x系列高達5MHz的開關(guān)能力有助于設(shè)計師顯著減少輸出電容和電感值及尺寸,有助實現(xiàn)空間緊張的設(shè)計。這些器件還能夠使要求最高效率的應(yīng)用設(shè)定在較低的開關(guān)頻率下運行。”

iP2010的輸入電壓范圍為7V至13.2V,輸出電壓范圍則為0.6V至5.5V,輸出電流高達30A。這個器件最高運行頻率為3MHz。在5MHz運行時,與iP2010引腳兼容的iP2011備有相同的輸入和輸出電壓范圍,但后者經(jīng)過優(yōu)化,從而使最高輸出電流高達20A。通過以通用占位面積提供多種電流額定值器件,IR提供的靈活性能夠滿足不同客戶對電流水平、性能和成本的要求。

這兩種器件采用細小占位面積的LGA封裝,為極低的功率損耗作出了優(yōu)化,并提供高效率的雙面冷卻功能,并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。

iP2010產(chǎn)品規(guī)格

iP2011產(chǎn)品規(guī)格

單頁的數(shù)據(jù)表已刊登在IR的網(wǎng)站 www.irf.com。IR也會向合格客戶提供完整的數(shù)據(jù)表、演示板和樣品。

GaNPowIR™簡介
GaNpowIR是一種革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺,與最先進的硅技術(shù)平臺相比,能夠改善客戶主要特定應(yīng)用的性能指數(shù) (FOM) 高達10倍,可以顯著提高性能并節(jié)省能源消耗,目標(biāo)市場包括計算和通信、汽車和家電等的終端應(yīng)用。這款開創(chuàng)先河的氮化鎵功率器件技術(shù)平臺是IR經(jīng)過5年的時間,基于其專有硅上氮化鎵外延技術(shù)研究開發(fā)的成果。高生產(chǎn)量的150mm硅上氮化鎵外延以及相關(guān)的器件制造工藝,完全符合IR具備成本效益的硅制造設(shè)施,可為客戶提供世界級的商業(yè)可行的氮化鎵功率器件制造平臺。

IR簡介
國際整流器公司 (簡稱IR,紐約證交所代號IRF) 是全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商。IR的模擬及混合信號集成電路、先進電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應(yīng)用于驅(qū)動高性能計算設(shè)備及降低電機的能耗 (電機是全球最大耗能設(shè)備) ,是眾多國際知名廠商開發(fā)下一代計算機、節(jié)能電器、照明設(shè)備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國防系統(tǒng)的電源管理基準(zhǔn)。

IR成立于1947年,總部設(shè)在美國洛杉磯,在二十個國家設(shè)有辦事處。
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