- 無引線封裝
- 超過93％的效率
- 系統(tǒng)效率改善3.5%到7%
- 系統(tǒng)尺寸縮小40％
- 括服務器、路由器、交換機，以及通用POL DC-DC轉(zhuǎn)換器
GaNpowIR是IR基于氮化鎵 (GaN)的革命性功率器件技術(shù)平臺。與最先進的硅技術(shù)平臺相比，能夠改善客戶主要特定應用的性能指數(shù) (FOM) 高達10倍，可以顯著提高性能并節(jié)省能源消耗，包括計算和通信、汽車和家電等的終端應用。
GaN技術(shù)平臺開創(chuàng)行業(yè)先河，是IR研發(fā)部門基于IR專利的GaN-on-Si硅上氮化鎵異質(zhì)外延技術(shù)，經(jīng)過5年精心研究的成果。高生產(chǎn)量的150mm硅上氮化鎵外延以及相關(guān)的器件制造工藝，完全符合IR具備成本效益的硅制造設施，可為客戶提供世界級的商業(yè)可行的氮化鎵功率器件制造平臺。
2010年3月5日，國際整流器公司（IR）在深圳會展中心舉行新品發(fā)布媒體見面會。會上，IR公司環(huán)球市場及企業(yè)傳信副總裁Graham Robertson先生為我們詳細介紹了行業(yè)首批商用氮化鎵集成功率級器件iP2010和iP2011的功能、特性及目標應用。電子元件技術(shù)網(wǎng)記者應邀出席了此次會議。
iP2010和iP2011系列器件為多相和負載點 (POL) 應用而設計，應用目標領(lǐng)域包括服務器、路由器、交換機，以及通用POL DC-DC轉(zhuǎn)換器。 它是將PowerRtune驅(qū)動IC和氮化鉀功率器件集成在一起，采用了無引線封裝，可以滿足最高效率和功率密度需求。
國際整流器公司環(huán)球市場及企業(yè)傳傳信副總裁Graham Robertson在新品發(fā)布會上指出，“與業(yè)內(nèi)最好的功率器件相比，iP2010和iP2011系列器件在600KHz工作頻率時有超過93％的效率！在1.2MHz工作頻率時也有91％的效率！”
IR環(huán)球市場及企業(yè)傳傳信副總裁Graham Robertson先生
這個采用氮化鉀材料的新器件可以將系統(tǒng)的效率改善3.5%到7%，采用簡單的熱控制即可達到節(jié)能效果，在目前綠色節(jié)能的大趨勢下可以發(fā)揮重要作用。在改善功率器件的優(yōu)值系數(shù)方面，這個氮化鎵 (GaN) 功率器件也表現(xiàn)突出，如下圖所示。
改善功率器件的優(yōu)值系數(shù)，Si SiC GaN對比
據(jù)介紹，GaN器件可以將應用的優(yōu)值系數(shù)提高10倍！而且可以將開關(guān)電源的頻率從KHz提升到MHz級別，所以可以將電源系統(tǒng)的效率提升很多。
IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“iP2010和iP2011大幅度改善了功率密度，與分立方案相比，其系統(tǒng)尺寸縮小40％！，與業(yè)界最好的DrMOS器件相比，其系統(tǒng)方案電路板空間尺寸縮小35％以上，而且其所需的外圍器件也相比這兩個方案少很多，iP201x系列高達5MHz的開關(guān)能力有助于設計師顯著減少輸出電容和電感值及尺寸，有助實現(xiàn)空間緊張的設計。由此可以解降低應用成本。這些器件還能夠使要求最高效率的應用設定在較低的開關(guān)頻率下運行。”
采用分立器件，GaNpowIR技術(shù)，DrMOS方案功率密度比較
iP2010的輸入電壓范圍為7V至13.2V，輸出電壓范圍則為0.6V至5.5V，輸出電流高達30A。這個器件最高運行頻率為3MHz。在5MHz運行時，與iP2010引腳兼容的iP2011備有相同的輸入和輸出電壓范圍，但后者經(jīng)過優(yōu)化，從而使最高輸出電流高達20A。通過以通用占位面積提供多種電流額定值器件，IR提供的靈活性能夠滿足不同客戶對電流水平、性能和成本的要求。
這兩種器件采用細小占位面積的LGA（無引線封裝），為極低的功率損耗作出了優(yōu)化，并提供高效率的雙面冷卻功能，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。
iP2010產(chǎn)品規(guī)格
iP2011產(chǎn)品規(guī)格
