產(chǎn)品特性：
- 將提高意法半導體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術(shù)的功率密度
- 尺寸僅為8x8mm
- 功率MOSFET
功率半導體廠商意法半導體推出一款先進的高性能功率封裝，這項新技術(shù)將會提高意法半導體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術(shù)的功率密度。
在一個尺寸僅為8x8mm的無引腳封裝外殼內(nèi)，全新1mm高的貼裝封裝可容納工業(yè)標準的TO-220大小的裸片，并提供一個裸露的金屬漏極焊盤，有效排除內(nèi)部產(chǎn)生的熱量。薄型封裝將使設計人員能夠設計更薄的電源外殼，為當今市場提供緊湊時尚的新產(chǎn)品。客戶可從兩個公司獲得這款新的標準產(chǎn)品：意法半導體和英飛凌（Infineon Technologies）均將推出采用這個創(chuàng)新封裝的MOSFET晶體管，意法半導體的產(chǎn)品名稱是PowerFLAT™ 8x8 HV，英飛凌的產(chǎn)品名稱是ThinPAK 8x8，從而為客戶提供高品質(zhì)雙貨源供貨。
新封裝的纖薄外形和優(yōu)異的散熱性能，結(jié)合意法半導體MDmesh V技術(shù)的無與倫比的超低單位裸片面積導通電阻RDS(ON) ，可大幅提高功率器件的功率密度和可靠性，節(jié)省印刷電路板空間。意法半導體將在現(xiàn)有的MDmesh V 產(chǎn)品陣容內(nèi)加入PowerFLAT 8x8 HV封裝的MOSFET，目前已發(fā)布該系列首款產(chǎn)品：650V STL21N65M5。
意法半導體功率晶體管產(chǎn)品部市場總監(jiān)Maurizio Giudice表示：“我們與英飛凌的合作卓有成效，已開發(fā)出一項高性能封裝技術(shù)，我們的客戶可以獲得尖端的應用設計和全球兩大功率半導體廠商支持的芯片封裝。這項具有突破性的封裝技術(shù)結(jié)合意法半導體獨有的業(yè)內(nèi)最先進的MDmesh V制程，我們的全新MOSFET將提供相同額定電壓產(chǎn)品中最高的功率密度和能效。”
STL21N65M5的主要特性：
- RDS(ON)：0.190?
- 最大額定輸出電流 （ID）：17A
- 結(jié)到外殼熱阻率（Rthj-c）：1.0 ºC/W
關(guān)于意法半導體的MDmesh™ V技術(shù)：
MDmesh V是意法半導體的新一代多漏極網(wǎng)格技術(shù)，該項技術(shù)可最大限度地降低導通損耗，同時不會對開關(guān)性能產(chǎn)生很大的影響。采用這項技術(shù)的MOSFET能夠讓設計人員符合對電子產(chǎn)品能效有更高要求的環(huán)保設計法規(guī)，還能讓他們有機會在再生能源等新興產(chǎn)業(yè)中尋找市場機遇，因為在全球發(fā)展新興產(chǎn)業(yè)的浪潮中，最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換損耗是降低每瓦成本的關(guān)鍵所在。
MDmesh V架構(gòu)改進了晶體管的漏極結(jié)構(gòu)，可有效降低漏源電壓降，結(jié)果，裸片單位面積的導通電阻非常低，尺寸小的器件也能取得超低的通態(tài)損耗。事實上，在采用TO-220標準封裝的650V MOSFET產(chǎn)品中，MDmesh V取得了世界最低的 RDS(ON) 記錄。
MDmesh V 器件的柵電荷量(Qg)也很低，在高速開關(guān)時能效優(yōu)異，RDS(ON) x Qg 性能因數(shù) (FOM)很小。新產(chǎn)品650V的擊穿電壓高于競爭品牌的600V產(chǎn)品的擊穿電壓，為設計工程師提供了十分寶貴的安全裕量。這些器件的 Vdss額定擊穿電壓很高，具有出色的耐dV/dt斜率能力，并100%經(jīng)過雪崩測試。另一項優(yōu)勢是，整齊的關(guān)斷波形有助于簡化柵極控制，降低對EMI濾波的要求。
現(xiàn)已上市的MDmesh V技術(shù)產(chǎn)品采用各種工業(yè)標準封裝，包括TO-220、TO-220FP、I2PAK、TO-247和Max247。
