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如何突破運(yùn)算放大器精度限制?

發(fā)布時間:2012-10-24 責(zé)任編輯:easonxu

【導(dǎo)讀】在精密測量過程中,系統(tǒng)工程師們面臨的第一個挑戰(zhàn)便是如何選擇具備最佳性能的運(yùn)算放大器以及安裝在其周圍的其他組件。這項(xiàng)工作很重要。在一些有空間限制的應(yīng)用中,工程師們常常會尋求體積最小的封裝,但是這種小型封裝具有一定的優(yōu)勢卻無法提供理想的精度。


高精確模擬定義

工程師對于運(yùn)算放大器 (op amps) 精度的定義并不一樣,其主要取決于不同的應(yīng)用。在面對十多家廠商提供的數(shù)萬件放大器時,工程師常常面臨如何選出最佳性能的放大器的難題。也就是說,最高性價比——假設(shè)系統(tǒng)還需要其他組件。例如,石油勘探或者地震研究的震動分析應(yīng)用,要求放大器擁有非常低的輸入偏移電壓,并且在長時間使用和溫度變化的情況下具有非常小的偏差漂移。只有這樣,才能保證對數(shù)字化信號的影響降至最小。換句話就是說,低噪聲、高精度的運(yùn)算放大器不會嚴(yán)重影響高分辨率數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的性能,從而提供更高的精準(zhǔn)度。相反,血糖監(jiān)測儀通常對偏移和溫度偏差漂移的要求則要低得多。

 便攜式震動儀的典型結(jié)構(gòu)圖
圖1:便攜式震動儀的典型結(jié)構(gòu)圖
 
血糖監(jiān)測儀的典型結(jié)構(gòu)圖
圖2: 血糖監(jiān)測儀的典型結(jié)構(gòu)圖

大多數(shù)半導(dǎo)體公司都會在運(yùn)算放大器精度的定義術(shù)語方面取得一致意見。實(shí)際上,他們會對其進(jìn)行分組。一般而言,如果運(yùn)算放大器的初始偏移電壓低于 1mV 且單位增益頻寬小于 50 MHz,則按照精度來進(jìn)行分組。但是,這種精度與工藝技術(shù)有關(guān),即使在相同器件中也是如此。根據(jù)不同的封裝,兩條不同規(guī)格的生產(chǎn)線生產(chǎn)出同一種放大器的情況并不常見。這是因?yàn)椋〉姆庋b更容易受到擠壓裸片的封裝模塑的應(yīng)力。
 
過去,雙極輸入器件在精度方面領(lǐng)先。盡管一些人認(rèn)為這些器件仍然是最佳選擇(在許多方面它們的確如此),但是最近的一些 CMOS 和 JFET 設(shè)計取得了巨大的進(jìn)步。OPA140 便是一個 JFET 輸入放大器的一個例子,它擁有 120 uV 的最大偏移電壓,并且在更大的工業(yè)溫度范圍其偏差漂移僅為 1 uV/°C。
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在不斬波的情況下實(shí)現(xiàn)高精度

和系統(tǒng)工程師一樣,IC 設(shè)計人員使用各種 IC 級技術(shù),以實(shí)現(xiàn)高精度。IC 設(shè)計人員實(shí)現(xiàn)這種精度的一種方法是使用斬波器穩(wěn)定實(shí)現(xiàn),也可單獨(dú)或者聯(lián)合實(shí)現(xiàn)自動歸零。盡管這些技術(shù)非常有效,但是其存在一些缺點(diǎn),而這些缺點(diǎn)讓放大器在一些應(yīng)用中的表現(xiàn)不讓人滿意。為了解決這個問題,許多制造廠商都提供了一些 IC 級修整方法,以獲得更低的偏移電壓。這種方法反過來又提高了溫度變化偏差漂移性能。但是,并非所有修整方法都擁有這種優(yōu)點(diǎn)。一些修整方法可能并不適合于面向成本敏感性應(yīng)用的設(shè)計。一般情況下,一旦定義了產(chǎn)品并且明確了目標(biāo)應(yīng)用以后,便可選定實(shí)現(xiàn)高精度的方法。
 
修整還是不修整

一種最為古老的修整方法是“齊納去除法 (Zener-zapping)”。去過,許多精密放大器都使用了這種方法。一般而言,這種方法應(yīng)用于大尺寸處理器,而諸如 CMOS 這樣的小型處理器使用這種方法時,成本效益較低。“齊納去除法”是一種片上處理技術(shù)。盡管可以獲得非常高的精度,但它通常要求更大的裸片面積,這讓它難以適用于小型封裝。

激光修整是精密器件中普遍使用的一種方法,其具有許多優(yōu)點(diǎn),例如:測試用焊點(diǎn)更少、連接修整成本更低。這種方法廣泛用于差分和測量放大器,目的是改善電阻器匹配度,以及提供必要的共模抑制比 (CMRR)。但是,這種方法缺少裝配后修整的能力。
 
EEPROM 是我們能夠使用的另一種片上方法,但很少用于獨(dú)立放大器,因?yàn)檫@種方法通常要求更多的引腳和屏蔽。
 
由于對精度的需求不斷增加,許多制造廠商現(xiàn)在會提供裝配后修整功能。這種多晶硅保險絲熔斷技術(shù)不需要額外的引腳或者測試用焊點(diǎn),并且相比封裝修整方法可以節(jié)省大量的成本。這是一種真正意義上的技術(shù)突破,因?yàn)樵S多 CMOS 放大器現(xiàn)在都可以達(dá)到史無前例的DC精度水平,也即百微伏以下的初始偏移和一微伏以下的偏差漂移。OPA376 是一款具有 25 µV 保證偏移電壓的 CMOS 輸入放大器,也可以受益于這些 DC 參數(shù)。裝配后修整讓廣大 IC 設(shè)計人員和布局工程師,可以克服小封裝中產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力,從而擁有小型化的優(yōu)異精度。除節(jié)省成本以外,CMOS 使用這種方法,還讓更低電壓的使用成為現(xiàn)實(shí)。更低電壓的電源,讓用戶擁有更長的電池工作時間(便攜式應(yīng)用的基本要求),并幫助節(jié)省高密度電路板的功耗,同時還提供了一種邏輯器件和微控制器的簡單接口。

表1:概括了各種修整方法,并根據(jù)技術(shù)和制造廠商按照裝配前和裝配后對其進(jìn)行分類。
 各種修整方法

根據(jù)修整方法選擇精度

根據(jù)修整方法選擇放大器的精度具有一定的誤導(dǎo)性。有時,我們在某個具體修整點(diǎn)完成裝配后修整。為了保持最低偏移和溫度漂移,設(shè)計可能會要求使用更多的復(fù)雜電路,其給芯片增加了大量基板面。查看數(shù)據(jù)表單規(guī)格表首頁以后的內(nèi)容,了解偏移實(shí)際值及其共模變化情況,不要依賴于修整算法。
 
一些制造廠商利用精密器件的成功,推出非修整版本,其可應(yīng)用于不同的應(yīng)用。由于成本被輕松地降低了,這種做法對 IC 廠商和客戶都大有好處。
 

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