【導讀】TriQuint今天發(fā)布了15款新型氮化鎵（ GaN ）放大器和晶體管以及兩套全新的氮化鎵工藝，創(chuàng)新工藝和產(chǎn)品針對通訊系統(tǒng)提供了超高性能、小尺寸和高耐用性。發(fā)布新產(chǎn)品外，TriQuint正在加速氮化鎵的供應速度，推出代工服務。
TriQuint公司中國區(qū)總經(jīng)理熊挺指出由于TriQuint的工藝和產(chǎn)品解決方案的發(fā)展, 使得射頻制造商更容易獲取氮化鎵的性能和優(yōu)勢。熊挺表示：“此項新發(fā)布也顯示TriQuint加速了其創(chuàng)新的步伐。除了三套由包裝、裝配及測試服務支持的氮化鎵工藝外，客戶還能獲取更多其它世界一流的產(chǎn)品。TriQuint全面解決最苛刻的射頻要求，能夠靈活地支持所有的客戶。”
著名的研究機構Strategy Analytics預見了氮化鎵這種極具意義的增長。半導體業(yè)務部總監(jiān)Eric Higham說：“雖然國防領域是氮化鎵最大的營收來源，但氮化鎵在基礎構架正迅速地發(fā)展壯大。通訊衛(wèi)星 （Sat-Com）、功率和有線電視（CATV）也大大飆升了氮化鎵的營收。 Strategy Analytics預測到2015年，氮化鎵微電子裝置的市場將以超過34%的復合年均增長率（CAAGR）增長大約至1.86億美元。”
TriQuint在原有的四分之一微米工藝中補充了一個高壓變體--TQGaN25HV。此新的制造工藝延伸了0.25微米氮化鎵的漏極操作電壓至48V，同時為DC-10 GHz應用提供更高的擊穿電壓、更強的功率密度和高增益。這些優(yōu)勢實現(xiàn)更堅固的設備， 可承受可能會破壞其他電路的電壓駐波比（VSWR）的不匹配，同時提供更多的射頻輸出功率。TriQuint的新產(chǎn)品T1G4012036-FS/FL使用了此新的制造工藝，該款新產(chǎn)品是一個適用于基礎構架的120W功率封裝晶體管，體積比類似的LDMOS裝置小了將近三分之二。其他以TQGaN25HV構建的產(chǎn)品現(xiàn)也已提供。
TriQuint以其TQGaN15工藝將氮化鎵技術推向了新的極限。該工藝將氮化鎵的頻率范圍擴大至了40 GHz，同時提供高功率密度和低噪聲性能。此0.15微米的氮化鎵-碳化硅（SiC）工藝用于制成TriQuint新型的TGA2594（5W）和TGA2595（10W）Ka波段的VSAT地面終端放大器。它們有高達35％的功率附加效率（PAE），體積與相對的砷化鎵（GaAs）解決方案也小了三倍。其他以TQGaN15構建的產(chǎn)品現(xiàn)也已提供。
TriQuint 全新氮化鎵解決方案的產(chǎn)品組合還包括了突破性的TAT9988，一個可用于有線電視和光纖到戶光學網(wǎng)絡的直接接入電路板式單片式微波集成電路（MMIC）放大器。TAT9988由TriQuint第二代的原始TQGaN25工藝制成，在增益、復合失真性能和表面安裝便利性上都處于行業(yè)領先地位。
TriQuint GaN 放大器
TriQuint GaN 驅動放大器
TriQuint GaN 低噪聲放大器
TriQuint GaN 離散式射頻功率晶體管
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