【導(dǎo)讀】近日，美高森美推出新一代大功率高性能650V NPT IGBT，快速高效的40A、70A和95A晶體管提供業(yè)界最佳的開關(guān)損耗性能。專為嚴(yán)苛環(huán)境工作而設(shè)計(jì)，尤其適用于太陽(yáng)能逆變器、焊接機(jī)和開關(guān)電源等工業(yè)產(chǎn)品。
美高森美宣布提供下一代650V非穿通型(non-punch through, NPT)絕緣柵雙極晶體管(insulated bipolar gate transistors, IGBT)產(chǎn)品，備有45A、70A和95A額定電流型款。美高森美全新NPT IGBT產(chǎn)品系列專為嚴(yán)苛環(huán)境工作而設(shè)計(jì)，尤其適用于太陽(yáng)能逆變器、焊接機(jī)和開關(guān)電源等工業(yè)產(chǎn)品。
美高森美新的功率器件通過(guò)提供業(yè)界最佳的損耗性能來(lái)改進(jìn)效率，與最接近競(jìng)爭(zhēng)廠商的IGBT產(chǎn)品相比，效率提高了大約8%。新的NPT IGBT器件還能夠?qū)崿F(xiàn)高達(dá)150 kHz的極高開關(guān)速率，在與美高森美的碳化硅(silicon carbide, SiC)續(xù)流二極管(free-wheeling diode)配對(duì)使用，開關(guān)速率可獲得進(jìn)一步提高。針對(duì)最高150 KHz的較低速率應(yīng)用，這些領(lǐng)先的650V NPT IGBT通過(guò)替代成本更高的600V至650V MOSFET器件，可讓開發(fā)人員降低總體系統(tǒng)成本。
下一代650V產(chǎn)品系列中的所有器件都基于美高森美先進(jìn)的Power MOS 8™ 技術(shù)，并且采用了最先進(jìn)的晶圓薄化(wafer thinning)工藝。與競(jìng)爭(zhēng)解決方案相比，顯著降低總體開關(guān)損耗，且可讓器件在難以置信的快速開關(guān)頻率工作。利用公司大功率高可靠性市場(chǎng)的傳統(tǒng)，美高森美期望擴(kuò)大IGBT市場(chǎng)份額，根據(jù)Yole Développement最新報(bào)告，這個(gè)市場(chǎng)正從現(xiàn)今的36億美元增長(zhǎng)到2018年的60億美元。
這些NPT IGBT器件易于并聯(lián)(Vcesat正溫度系數(shù))，可以提升大電流模塊的可靠性。它們還具有額定短路耐受時(shí)間(short circuit withstand time rated, SCWT)，可以在嚴(yán)苛的工業(yè)環(huán)境中可靠運(yùn)作。
新的IGBT器件備有各種封裝，包括TO-247、T-MAX和模塊。要了解更多信息或獲取樣品，請(qǐng)聯(lián)絡(luò)當(dāng)?shù)胤咒N商或美高森美銷售代表，或發(fā)送電子郵件到sales.support@microsemi.com。要了解更多的生產(chǎn)信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)公司網(wǎng)站www.microsemi.com。
