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電子電信:新興產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)空間更廣闊
2009年12月以來(lái),受益于出口預(yù)期的好轉(zhuǎn)和國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策的扶持,信息設(shè)備、信息服務(wù)、電子元器件行業(yè)的表現(xiàn)明顯強(qiáng)于大市。我們認(rèn)為,這一方面體現(xiàn)出市場(chǎng)對(duì)新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展的高度關(guān)注,另一面也是當(dāng)前市場(chǎng)風(fēng)格轉(zhuǎn)換的內(nèi)在體現(xiàn)。隨著2010年相關(guān)政策的推進(jìn),電子電信行業(yè)有望長(zhǎng)期保持強(qiáng)于A股的走勢(shì)。
2010-01-21
電子電信 新興產(chǎn)業(yè) 成長(zhǎng)空間 廣闊
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2009年全球半導(dǎo)體行業(yè)收入同比降11.4%
根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司Gartner的估計(jì),2009年全球半導(dǎo)體行業(yè)總收入為2.26億美元,同比下滑11.4%,這將是該行業(yè)25年來(lái)經(jīng)歷的第六次收入下滑。 Gartner分析稱,個(gè)人電腦市場(chǎng)是最先反彈的市場(chǎng),隨后是手機(jī)、汽車等市場(chǎng)開始反彈。
2010-01-21
全球 半導(dǎo)體行業(yè) 收入 下降
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新系列MEMS加速計(jì)突破尺寸和功耗極限
意法半導(dǎo)體在加速計(jì)設(shè)計(jì)方面取得了最新進(jìn)步,將傳感器尺寸縮小到2 x 2mm,100Hz采樣率時(shí)的功耗降到10微安以下,這數(shù)值已經(jīng)比目前其他產(chǎn)品器件低一個(gè)量級(jí),,功耗還能再降到幾微安,以配合更低的數(shù)據(jù)速率。由于這一重大成果,空間和功耗受限的便攜設(shè)備得以加快采用動(dòng)作控制型技術(shù)應(yīng)用,性能和功能不...
2010-01-21
MEMS 加速計(jì) 尺寸 功耗極限
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TI推出降低上表面熱阻的功率MOSFET
日前,德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個(gè)通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對(duì)其它標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝的產(chǎn)品,DualCool NexFET 功率MOSFET有助于縮小終端設(shè)備的尺寸,同時(shí)還可將MOSFET允許的電流提高 50%,并改進(jìn)散熱管理。
2010-01-21
TI MOSFET DualCool NexFET 器件
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電動(dòng)工具F系列(帶扭矩控制器的充電式螺絲刀)
具有能夠提高作業(yè)效率的強(qiáng)大的擰緊力 能提高作業(yè)效率的強(qiáng)大的擰緊力和簡(jiǎn)潔的結(jié)構(gòu) F系列
2010-01-20
電動(dòng)工具 扭矩控制器 充電式 螺絲刀
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中國(guó)集成電路封測(cè)產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟成立
為加快國(guó)家科技重大專項(xiàng)“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”的組織實(shí)施,探索創(chuàng)新機(jī)制,引導(dǎo)產(chǎn)業(yè)發(fā)展,“中國(guó)集成電路封測(cè)產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟”2009年12月30日在北京成立。這是16個(gè)國(guó)家科技重大專項(xiàng)中成立的首個(gè)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟。
2010-01-20
集成電路 封測(cè) 產(chǎn)業(yè)鏈 創(chuàng)新聯(lián)盟
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中國(guó)市場(chǎng)引領(lǐng)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)走出低谷
今年SEMI ISS上談?wù)撟疃嗟脑掝}可能是中國(guó),以及中國(guó)快速增長(zhǎng)對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的影響。當(dāng)產(chǎn)業(yè)分析師們注意力紛紛從經(jīng)濟(jì)低迷轉(zhuǎn)向復(fù)蘇,他們不時(shí)地提及中國(guó)在全球產(chǎn)業(yè)版圖中變得越來(lái)越重要。
2010-01-20
半導(dǎo)體 汽車 手機(jī) PC 中國(guó) GDP
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TLP358/58HF:Toshiba推出低功率柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器
Toshiba推出了一系列的超低功耗光耦合隔離器,設(shè)計(jì)用來(lái)驅(qū)動(dòng)需要輸出電流高達(dá)±6.0A的IGBT和功率MOSFET。新的驅(qū)動(dòng)器IC光耦合器TLP358系列適合用于工業(yè)逆變器,AC/DC伺服系統(tǒng),感應(yīng)加熱系統(tǒng),工廠自動(dòng)化設(shè)備和其它需要高輸出電流驅(qū)動(dòng)級(jí)的應(yīng)用中。
2010-01-19
TLP358/58HF Toshiba 光耦合器 MOSFET
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WitsView:面板供不應(yīng)求情況或延續(xù)至Q1
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,展望2010年上半年,WitsView認(rèn)為,由于上游零組件供給仍有缺口,因此,供不應(yīng)求的情況可能延續(xù)至第1季。不過,零組件供應(yīng)吃緊的情形將會(huì)于第1季逐漸改善,由此看來(lái),農(nóng)歷年后客戶對(duì)面板需求的強(qiáng)度能否持續(xù),將牽動(dòng)產(chǎn)業(yè)第2季整體發(fā)展表現(xiàn)。
2010-01-19
WitsView 面板 供不應(yīng)求 Q1
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