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電源效率測試
效率是電源測試中十分常見的測試項，高效的電源表現(xiàn)是眾多廠家一直追求的目標(biāo)。在芯片的規(guī)格書中，通常都會提供幾種常見的輸入輸出應(yīng)用下的效率曲線。當(dāng)實際的應(yīng)用范圍與規(guī)格書上不同，或者在demo板的基礎(chǔ)上我們進(jìn)行了其它改動的時候，就需要重新進(jìn)行效率測試。
2024-09-16
電源效率
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MEMS 麥克風(fēng)中 PDM 和 I2S 數(shù)字輸出接口的比較和選擇
本文將詳細(xì)討論脈沖密度調(diào)制 (PDM) 和集成電路內(nèi)置音頻 (I2S) 兩種數(shù)字接口，簡介它們的獨特特性以及在系統(tǒng)設(shè)計時的優(yōu)缺點。工程師具體選擇哪一種，將取決于對兩種技術(shù)的研究，并要了解哪種協(xié)議對于特定應(yīng)用更適合。
2024-09-15
MEMS 麥克風(fēng) PDM I2S 數(shù)字輸出接口
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用于測試汽車逆變器的主動電機仿真
作為電池模擬器，可以使用標(biāo)準(zhǔn)電源。通過適當(dāng)控制電機模擬器，相電流通過相線圈從 DUT 流向模擬器，并通過 DC-Link 流回 DUT，反之亦然。因此，DC-Link受到實際電流的壓力，但由于能量在兩個逆變器之間流動，因此電池模擬只需為整個系統(tǒng)的損耗提供能量。這是重要的好處之一：可以使用相對較小的電源...
2024-09-15
汽車逆變器 測試 電機仿真
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電氣負(fù)載模擬器
電氣負(fù)載仿真的概念涉及控制電力電子轉(zhuǎn)換器，使其行為類似于實際電氣負(fù)載。例如，電壓源逆變器 (VSI) 可以仿真感應(yīng)電機。在不同情況下，負(fù)載仿真器的使用至關(guān)重要。它有助于分析在各種負(fù)載條件和環(huán)境下將多臺機器連接到電網(wǎng)的可行性。的部分是，這可以在沒有任何機電機械的情況下完成。負(fù)載仿真器可...
2024-09-15
電氣 負(fù)載模擬器
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在使用快速共模和隔離探頭進(jìn)行浮動測量
在這種情況下，我們使用一個小型電池振蕩器（基于 LTC6907），它連接到 Mosfet 的漏極，從而提供測量所需的共模電壓變化。該振蕩器板具有 SMB 輸出，但我們將把電纜直接焊接到板上以進(jìn)行此測試。差分測量是振蕩器的輸出，即 2V 電平信號，它與 Mosfet 的切換不同步。首先，我們使用與之前相同的 4 ...
2024-09-15
共模 隔離 探頭 浮動測量
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如何使物聯(lián)網(wǎng)邊緣設(shè)備高效節(jié)能？
電源效率對于物聯(lián)網(wǎng)的成功至關(guān)重要。設(shè)備的效率越高，其功能壽命就越長，用戶體驗就越好。您是否在組織中實施了物聯(lián)網(wǎng)解決方案，以提高物聯(lián)網(wǎng)邊緣設(shè)備的能源效率？本文重點介紹了您應(yīng)該考慮的15個關(guān)鍵因素。
2024-09-13
物聯(lián)網(wǎng) 邊緣設(shè)備 電源效率
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在邊緣部署單對以太網(wǎng)
工業(yè)領(lǐng)域的工廠長期以來一直使用數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)來監(jiān)視和控制生產(chǎn)設(shè)施。工廠、數(shù)據(jù)中心和商業(yè)建筑中的大型網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)一直在將其數(shù)字信息網(wǎng)絡(luò)的邊緣越來越近地推向現(xiàn)實物理世界。溫度、壓力、接近或光等物理測量值會被轉(zhuǎn)換為數(shù)字信息以供系統(tǒng)處理，計算出的結(jié)果隨后會轉(zhuǎn)化為實際設(shè)備（如閥門、風(fēng)扇、電源和指...
2024-09-13
Microchip OT網(wǎng)絡(luò) IT網(wǎng)絡(luò) 邊緣 以太網(wǎng)
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恩智浦結(jié)合超寬帶安全測距與短程雷達(dá)，賦能自動化工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.，）近日發(fā)布Trimension? SR250，首款將片上處理能力與短程UWB雷達(dá)和安全測距集成于一體的單芯片解決方案。該產(chǎn)品可基于位置、存在或運動檢測，為消費者或工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用帶來了更廣泛的新用戶體驗，是恩智浦在推動世界實現(xiàn)可預(yù)測和自動化方面的又一次飛躍。
2024-09-12
恩智浦 超寬帶 安全 測距 短程雷達(dá) UWB雷達(dá) 短程雷達(dá) 自動化 工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)
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第5講：SiC的晶體缺陷
SiC晶體中存在各種缺陷，對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構(gòu)成和生長機制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。
2024-09-12
SiC 晶體缺陷
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