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VO3526：Vishay 新型1A輸出電流整合功率光敏可控硅
Vishay推出一款可輸出 1A 電流來(lái)驅(qū)動(dòng)電阻及電感負(fù)載的整合功率光敏可控硅，從而拓寬了其光電子產(chǎn)品系列。由于消除了對(duì)外部功率 TRIAC 的需求，該器件可降低設(shè)計(jì)成本并節(jié)省板面空間。
2008-08-27
VO3526 可控硅
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SKSE系列：ALPS新TACT Switch Sidepush 雙動(dòng)式開關(guān)
ALPS開發(fā)出可實(shí)現(xiàn)手機(jī)搭載相機(jī)及數(shù)碼相機(jī)的自動(dòng)聚焦功能的TACT Switch Sidepush雙動(dòng)式“SKSE系列”，并于今年9月出廠樣品。
2008-08-22
SKSE 開關(guān) SWITCH
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南方芯源在西安成立研發(fā)中心西安芯派
2008年8月18日，Samwin公司投資發(fā)起設(shè)立的西安芯派科技有限公司正式成立，主要從事MOSFET全新溝通工藝，電源管理IC及射頻技術(shù)應(yīng)用三個(gè)方面的產(chǎn)品研發(fā)。該中心的成立將進(jìn)一步提高Samwin產(chǎn)品的技術(shù)先進(jìn)度。
2008-08-20
西安芯派 Samwin MOSFET 南方芯源
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SiB41*DK / SiB911DK：Vishay PowerPAK SC-75封裝功率MOSFET系列
Vishay宣布推出采用 PowerPAK SC-75 封裝的 p 通道功率MOSFET系列，該系列包括額定電壓介于 8V～30V 的多個(gè)器件，這些是采用此封裝類型的首批具有上述額定電壓的器件。
2008-08-20
SiB911DK、SiB415DK、SiB411DK、SiB413DK、SiB419DK、SiB417DK SiB417EDK SiB414DK SiB412DK 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET
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BTAxxx系列：安森美半導(dǎo)體隔離型三端雙向可控硅開關(guān)元件
安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充高性能三端雙向可控硅開關(guān)元件(TRIAC)產(chǎn)品系列，推出12款新的TRIAC，提供8、12和16安培(A)的可用額定功率，具有35和50毫安(mA)的門觸發(fā)電流(Igt)。這BTAxxx系列器件非常適合于講究隔離電壓、且安全是首要考慮的工業(yè)和控制應(yīng)用。
2008-08-18
可控硅 TRIAC BTAxxx BTBxxx 工業(yè)和控制應(yīng)用
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298D系列：Vishay便攜應(yīng)用固體鉭芯片電容器系列小封裝產(chǎn)品
Vishay宣布擴(kuò)展其 298D系列 MicroTan? 固體鉭芯片電容器，推出0402 封裝尺寸的298D。此電容器充分利用已獲專利的MAP（多陣列封裝）裝配技術(shù)以擴(kuò)展產(chǎn)品系列，現(xiàn)已可在超薄小型0402 K封裝中提供4.7μF-4V至10μF-4V的電容電壓。
2008-08-15
298D 鉭電容器 便攜應(yīng)用
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微封裝晶體管和二極管：安森美半導(dǎo)體便攜應(yīng)用產(chǎn)品
安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充分立器件封裝系列，推出新微封裝的晶體管和二極管。新增加的封裝拓展了公司的微封裝晶體管和二極管系列，配合當(dāng)今空間受限型便攜應(yīng)用的嚴(yán)峻設(shè)計(jì)需求。
2008-08-12
晶體管 二極管 NZ9F 低正向壓降肖特基二極管 齊納二極管 便攜應(yīng)用
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EPCOS推出消費(fèi)和工業(yè)電子應(yīng)用表貼鋁電解電容器
愛普科斯(EPCOS) 推出新型表貼鋁電解電容器，其電容量范圍介于0.1μF至1500μF，適用于4V DC至100 V DC的電壓。此新型電容器適用于消費(fèi)和工業(yè)電子領(lǐng)域，是鉭電容器的價(jià)格合適的替代品。
2008-08-01
鋁電解電容器
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MAX4800A/MAX4802A：Maxim 8通道超聲應(yīng)用高速開關(guān)
Maxim推出通過高速、20MHz串行接口控制的8通道、高壓、低電荷注入SPST開關(guān)MAX4800A/MAX4802A。器件采用Maxim專有的BCDMOS工藝，集高壓、雙向DMOS開關(guān)及低功耗CMOS邏輯特性于一體，從而實(shí)現(xiàn)通過低壓控制信號(hào)對(duì)高壓模擬信號(hào)的有效控制。
2008-07-30
MAX4800A MAX4802A 高速開關(guān)
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