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低壓電機驅(qū)動設(shè)計

本應(yīng)用筆記介紹了采用表面貼裝封裝的 n 通道雙 MOSFET 的低壓電機驅(qū)動設(shè)計。它描述了使用不同電壓應(yīng)用的設(shè)計，以及自適應(yīng) MOSFET 柵極驅(qū)動器，這是驅(qū)動雙 n 溝道半橋的第三種方法。

2023-09-21

低壓  電機驅(qū)動

長電科技鄭力：高性能先進封裝創(chuàng)新推動微系統(tǒng)集成變革

第24屆電子封裝技術(shù)國際會議(ICEPT2023)于近日在新疆召開,來自海內(nèi)外學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界超700名專家學(xué)者、研究人員、企業(yè)人士齊聚一堂,共話先進封裝技術(shù)創(chuàng)新、學(xué)術(shù)交流與國際合作。長電科技董事、首席執(zhí)行長鄭力出席會議,發(fā)表《高性能先進封裝創(chuàng)新推動微系統(tǒng)集成變革》主題演講。

2023-09-21

長電科技  先進封裝  微系統(tǒng)

驅(qū)動電源模塊密度的關(guān)鍵因素

依靠簡單的經(jīng)驗法則來評估電源模塊密度的關(guān)鍵因素是遠遠不夠的，例如電源解決方案開關(guān)頻率與整體尺寸和密度成反比；與驅(qū)動系統(tǒng)密度的負載相比，功率密度往往以不同的速率變化；因此合理的做法是將子系統(tǒng)和相關(guān)器件分開分析。先進的封裝和3D電源封裝? (3DPP?) 技術(shù)可讓電源模塊密度匹配其服務(wù)的相應(yīng)...

2023-09-21

電源模塊  密度  關(guān)鍵因素

艾睿滿足不同電源應(yīng)用需求的多樣化解決方案

電源是所有電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)，為了滿足不同應(yīng)用在功率、交直流轉(zhuǎn)換上的各種要求，便需要各式各樣的功率元器件、模塊，來提供合適、安全的電源，使系統(tǒng)能夠穩(wěn)定運作。本文將為您介紹由艾睿電子推出的多款功率轉(zhuǎn)換解決方案，以及安森美（onsemi）、村田制作所（Murata）所推出的相關(guān)產(chǎn)品。

2023-09-21

艾睿  電源應(yīng)用  解決方案

LDO穩(wěn)壓器綜合指南：噪聲、折衷方案、應(yīng)用和趨勢

本文介紹 LDO穩(wěn)壓器選型 時幾個不太注意的關(guān)鍵參數(shù)。還針對特殊低噪聲要求，將開關(guān)穩(wěn)壓器和LDO穩(wěn)壓器進行了比較。此外還討論了行業(yè)趨勢，以及介紹需要高性能LDO穩(wěn)壓器的應(yīng)用。

2023-09-20

LDO穩(wěn)壓器  噪聲  趨勢

IGBT驅(qū)動芯片進入可編程時代，英飛凌新品X3有何玄機？

俗話說，好馬配好鞍，好IGBT自然也要配備好的驅(qū)動IC。一顆好的驅(qū)動不僅要提供足夠的驅(qū)動功率，最好還要有完善的保護功能，例如退飽和保護、兩電平關(guān)斷、軟關(guān)斷、欠壓保護等，為IGBT的安全運行保駕護航。

2023-09-19

IGBT驅(qū)動芯片  可編程  英飛凌

如何在有限空間里實現(xiàn)高性能？結(jié)合最低特定RDS(On)與表面貼裝技術(shù)是個好方法！

SiC FET在共源共柵結(jié)構(gòu)中結(jié)合硅基MOSFET和SiC JFET，帶來最新寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的性能優(yōu)勢，以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET現(xiàn)可采用表面貼裝TOLL封裝，由此增加了自動裝配的便利性，同時減少了元件尺寸，并達成出色的熱特性，在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實現(xiàn)了功率密度最大化和系統(tǒng)成本最小化。

2023-09-18

高性能  RDS(On)  表面貼裝

如何更好的使用EiceDRIVER IC驅(qū)動SiC MOSFET

碳化硅（SiC MOSFET）和氮化鎵(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應(yīng)用，但對驅(qū)動系統(tǒng)的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強型EiceDRIVER? 1ED34X1系列可提供高的輸出電流、米勒鉗位保護、精準的短路保護、可調(diào)的軟關(guān)斷等功能，為新一代的功率器件保駕護航。

2023-09-18

英飛凌  IC  SiC MOSFET

主流觸控面板技術(shù)分析與觸控方案介紹

近年來，觸控板的應(yīng)用可說是越來越廣泛，觸控式面板已經(jīng)是一個當紅且快速成長的應(yīng)用及市場。

2023-09-15