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是什么使SiC成為組串式逆變器的完美解決方案
與硅技術(shù)相比，SiC MOSFET在光伏和儲能應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢，它解決了能效與成本的迫切需求，特別是在需要雙向功率轉(zhuǎn)換的時候。
2023-02-09
SiC 組串式 逆變器
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滿足電子化需求的汽車應(yīng)用解決方案
隨著汽車朝向電子化發(fā)展，無論是傳統(tǒng)燃油車還是混合／純電動車，都使用越來越多的電子零部件，使得汽車應(yīng)用市場蓬勃發(fā)展，也為電子產(chǎn)業(yè)帶來龐大的商機(jī)。本文將為您簡介汽車應(yīng)用市場的發(fā)展，以及由Nexperia所推出的解決方案。
2023-02-08
電子化 汽車 解決方案
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數(shù)字控制讓雙向電源轉(zhuǎn)換易如反掌
傳統(tǒng)的電源都是采用模擬方式控制，而近些年出現(xiàn)的數(shù)字電源則是以數(shù)字信號處理器（DSP）或微控制器（MCU）為控制核心來實現(xiàn)控制、管理和監(jiān)測功能的電源產(chǎn)品。
2023-02-08
數(shù)字控制 雙向電源
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如何手動計算IGBT的損耗
現(xiàn)今隨著高端測試儀器和仿真軟件的普及，大部分的損耗計算都可以使用工具自動完成，節(jié)省了不少精力，不得不說這對工程師來說是一種解放，但是這些工具就像黑盒子，好學(xué)的小伙伴總想知道工作機(jī)理。其實基礎(chǔ)都是大家學(xué)過的基本高等數(shù)學(xué)知識。今天作者就幫大家打開這個黑盒子，詳細(xì)介紹一下IGBT損耗計...
2023-02-07
IGBT 損耗
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如何給核心板的底板設(shè)計電源？
在選型某一款核心板后，硬件工程師將會針對自己的產(chǎn)品應(yīng)用設(shè)計底板，除了外設(shè)的功能電路外，底板電源設(shè)計也是一款產(chǎn)品好壞的關(guān)鍵。結(jié)合ZLG致遠(yuǎn)電子的核心板產(chǎn)品，本文將對底板的電源設(shè)計提供一些方法及參考。
2023-02-07
核心板 底板 電源
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滿足嚴(yán)格效率和性能規(guī)格且尺寸要小的電源，需要搭配什么樣的控制器？
高性能通信、服務(wù)器和計算系統(tǒng)中的ASIC、FPGA和處理器需要使用能直接從12 V或中間總線生成1.0 V（或更低）電壓的核心電源——最大負(fù)載電流有時候可能高于200 A。這些電源必須滿足嚴(yán)格的效率和性能規(guī)格，且通常具備相對較小的PCB尺寸。LTC7852/LTC7852-1 6相雙輸出降壓控制器為這些電源提供高性能的靈...
2023-02-06
電源 控制器
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碳化硅MOSFET尖峰的抑制
SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢，在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地擴(kuò)大。其中一個主要原因是與以前的功率半導(dǎo)體相比，SiC MOSFET 使得高速開關(guān)動作成為可能。但是，由于開關(guān)的時候電壓和電流的急劇變化，器件的封裝電感和周邊電...
2023-02-06
碳化硅 MOSFET 尖峰
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瞄準(zhǔn)智能制造、新能源汽車等新興關(guān)鍵數(shù)據(jù)存儲需求，F(xiàn)eRAM發(fā)力智能物聯(lián)時代增量市場
存儲器是現(xiàn)代信息系統(tǒng)最關(guān)鍵的組件之一，在當(dāng)前物聯(lián)網(wǎng)與人工智能聯(lián)合推動下的數(shù)據(jù)爆發(fā)時代，存儲器行業(yè)的“加速鍵”隨之開啟。據(jù)YOLE統(tǒng)計，自2019年以來，存儲器成為半導(dǎo)體增速最快的細(xì)分行業(yè)，總體市場空間從2019年的1110億美元將增長至2025年的1850億美元。細(xì)分市場中，以FeRAM（鐵電存儲）和ReRAM...
2023-02-06
智能制造 新能源汽車 FeRAM
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碳化硅如何革新電氣化趨勢
在相當(dāng)長的一段時間內(nèi)，硅一直是世界各地電力電子轉(zhuǎn)換器所用器件的首選半導(dǎo)體材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現(xiàn)帶來了一種替代材料，它能減輕對硅的依賴。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導(dǎo)體：將電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量更高，并且這種寬禁帶具備優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)硅基器件的多種優(yōu)勢。
2023-02-03
碳化硅 電氣化 趨勢
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