-
線性LED驅(qū)動(dòng)IC對(duì)比：盤(pán)點(diǎn)幾款大功率LED線性驅(qū)動(dòng)
如果你認(rèn)為線性功率IC功耗太大，不好用，技術(shù)落后，那么你就錯(cuò)了！本文將幾款I(lǐng)C與高速轉(zhuǎn)換型DC-DC類(lèi)型IC進(jìn)行對(duì)比分析，講解線性功率器件IC設(shè)計(jì)的一些注意要點(diǎn)，并盤(pán)點(diǎn)了幾款線性恒流IC以方便大家選型。
2013-11-20
-
隔離驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件設(shè)計(jì)技巧八大問(wèn)
IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等功率器件，都需要有充分的保護(hù)以避免欠壓、米勒效應(yīng)、缺失飽和、過(guò)載、短路造成的損害。本文通過(guò)Avago參與的八大問(wèn)答討論隔離驅(qū)動(dòng)IGBT等功率器件的技巧。
2013-08-13
-
富士通推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品，品質(zhì)因數(shù)降半
富士通半導(dǎo)體日前宣布，推出可耐壓150 V的基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A。該產(chǎn)品初始狀態(tài)是斷開(kāi)(Normally-off)，相比于同等耐壓規(guī)格的硅功率器件，品質(zhì)因數(shù)(FOM)可降低近一半。基于富士通新型GaN功率器件，用戶(hù)可以設(shè)計(jì)出體積更小，效率更高的電源組件。
2013-07-23
-
SiC和GaN，新興功率器件如何選？
新興的SiC和GaN功率器件市場(chǎng)未來(lái)10年預(yù)計(jì)增長(zhǎng)18倍，主要需求市場(chǎng)是電源、光伏逆變器和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)。SiC肖特基二極管已經(jīng)有10年以上歷史，但SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT近年才出現(xiàn)，GaN功率器件更是剛剛才在市場(chǎng)上出現(xiàn)。他們誰(shuí)會(huì)成為未來(lái)新興功率器件市場(chǎng)的主角？我們現(xiàn)在應(yīng)該選用他們嗎？
2013-06-19
-
孰優(yōu)孰劣:氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管VS硅功率器件?
工程師常常認(rèn)為當(dāng)應(yīng)用需要更高電壓時(shí)，使用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)在性能方面才更具優(yōu)勢(shì)。但是，如果只是考慮開(kāi)關(guān)品質(zhì)因數(shù)，相比先進(jìn)的MOSFET器件，200V的eGaN FET器件的優(yōu)勢(shì)好像減弱了。GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管與硅功率器件中低壓降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的性能到底怎樣？且聽(tīng)本文細(xì)細(xì)分解。
2013-05-16
-
電源轉(zhuǎn)換新時(shí)代的來(lái)臨：IR開(kāi)始商業(yè)裝運(yùn)GaN器件
IR在業(yè)內(nèi)率先商業(yè)付運(yùn)可大幅提高現(xiàn)有電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)效率的GaN功率器件，預(yù)示著電源效率革命性改善新時(shí)代的到來(lái)。相比當(dāng)今最先進(jìn)的硅功率器件技術(shù)，氮化鎵技術(shù)平臺(tái)能夠?qū)⒖蛻?hù)的電源應(yīng)用的性能指數(shù)(FOM)提升10倍。
2013-05-15
-
硅功率MOSFET前景堪憂(yōu)？
30年前硅功率MOSFET的出現(xiàn)使市場(chǎng)快速接受開(kāi)關(guān)電源，硅功率MOSFET成為很多應(yīng)用的必選功率器件。近些年來(lái)，MOSFET不可避免地進(jìn)入到性能瓶頸期；然而與此同時(shí)，增強(qiáng)型GaN HEMT器件在開(kāi)關(guān)性能和整個(gè)器件帶寬有突破性改善，迅速占領(lǐng)市場(chǎng)。硅功率MOSFET在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的發(fā)展已經(jīng)走到盡頭了嗎？
2013-05-15
-
第三講：基于MOSFET的高能效電源設(shè)計(jì)
通過(guò)結(jié)合改進(jìn)的電源電路拓?fù)浜透拍钆c改進(jìn)的低損耗功率器件，開(kāi)關(guān)電源行業(yè)在提高功率密度、效率和可靠性方面，正在經(jīng)歷革新性發(fā)展。MOSFET是中低電壓電源應(yīng)用的首選功率器件，可以提高溝槽密度，并無(wú)需JFET阻抗元件，因此能夠使特征導(dǎo)通阻抗降低30%左右，降低同步整流的能量損耗，極大的提高了電源能效。
2013-05-14
-
通過(guò)建立優(yōu)化模型和目標(biāo)函數(shù)實(shí)現(xiàn)電化學(xué)整流電源電聯(lián)接
電化學(xué)整流電源是一種高耗能設(shè)備，提高整流效率、降低額外損耗是這類(lèi)電力電子變換裝置的一個(gè)重要的課題。隨著大功率器件制造水平的提高以及壓接工藝技術(shù)的改進(jìn)，均流問(wèn)題也不再突出，所以從效率、損耗方面進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)是必要的。
2013-01-07
-
無(wú)Y電容的充電器變壓器補(bǔ)償設(shè)計(jì)方法
在開(kāi)關(guān)電源中，功率器件高頻導(dǎo)通/關(guān)斷的操作導(dǎo)致的電流和電壓的快速變化而產(chǎn)生較高的電壓及電流尖峰是產(chǎn)生EMI的主要原因。通常情況下，系統(tǒng)前端要加濾除器和Y電容，Y電容的存在會(huì)使輸入和輸出線間產(chǎn)生漏電流，具有Y電容的金屬殼手機(jī)充電器會(huì)讓使用者有觸電的危險(xiǎn)，因此，一些手機(jī)制造商開(kāi)始采用無(wú)Y電容的充電器，然而，去除Y電容會(huì)給EMI的設(shè)計(jì)帶來(lái)困難，本文將介紹無(wú)Y電容的充電器變壓器補(bǔ)償設(shè)計(jì)方法。
2012-12-18
-
GaN壓力來(lái)襲，降低成本是SiC器件大規(guī)模商用的前提
受限于價(jià)格過(guò)高等因素，迄今為止各種SiC功率器件產(chǎn)品系列的實(shí)際應(yīng)用都很少。隨著降低環(huán)境負(fù)荷的要求日益提高，傳統(tǒng)Si材料功率器件的局限性越來(lái)越突出。新一代材料SiC功率器件具有體積小、高效率、高耐溫等優(yōu)點(diǎn)，受到越來(lái)越多的重視，研發(fā)生產(chǎn)日益活躍。然而，SiC器件何時(shí)才會(huì)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用，成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。
2012-12-13
-
MOS晶體管
金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-SEMIconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱(chēng)MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱(chēng)為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為CMOS-IC。MOS柵極控制晶閘管充分地利用晶閘管良好的通態(tài)特性、優(yōu)良的開(kāi)通和關(guān)斷特性，可望具有優(yōu)良的自關(guān)斷動(dòng)態(tài)特性、非常低的通態(tài)電壓降和耐高壓，成為將來(lái)在電力裝置和電力系統(tǒng)中有發(fā)展前途的高壓大功率器件。目前世界上有十幾家公司在積極開(kāi)展對(duì)MCT的研究。 MOS柵控晶閘管主要有三種結(jié)構(gòu)：MOS場(chǎng)控晶閘管（MCT）、基極電阻控制晶閘管(BRT)及射極開(kāi)關(guān)晶閘管(EST)。
2012-12-13
- 高精度低噪聲 or 大功率強(qiáng)驅(qū)動(dòng)？?jī)x表放大器與功率放大器選型指南
- 高壓BMS：電池儲(chǔ)能系統(tǒng)的安全守護(hù)者與壽命延長(zhǎng)引擎
- 2025西部電博會(huì)啟幕在即，中文域名“西部電博會(huì).網(wǎng)址”正式上線
- IOTE 2025上海物聯(lián)網(wǎng)展圓滿(mǎn)收官！AIoT+5G生態(tài)引爆智慧未來(lái)
- 如何設(shè)計(jì)高性能CCM反激式轉(zhuǎn)換器？中等功率隔離應(yīng)用解析
- 攻克次諧波振蕩：CCM反激斜坡補(bǔ)償?shù)墓β史旨?jí)指南
- 羅姆助力英偉達(dá)800V HVDC重塑AI數(shù)據(jù)中心能源架構(gòu)
- 硬見(jiàn)天開(kāi) 智創(chuàng)WE來(lái)丨智能工程技術(shù)論壇成功舉辦
- 亦真科技XR奇遇！2025西部電博會(huì)開(kāi)啟VR密室/恐怖解密探險(xiǎn)之旅
- 高速電路穩(wěn)不穩(wěn)？關(guān)鍵藏在PCB疊層設(shè)計(jì)的“地層密碼”里
- 選型不再糾結(jié)！一文讀懂力芯微、TI、ADI升壓轉(zhuǎn)換器核心差異
- 曾懸賞百萬(wàn)求一敗的熱成像夜視儀，兩年后走下神壇了嗎？
- 車(chē)規(guī)與基于V2X的車(chē)輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車(chē)安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車(chē)模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車(chē)用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
