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不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時面臨的挑戰(zhàn)有何差異?
氮化鎵(GaN)器件因其高開關(guān)頻率、低導(dǎo)通損耗的特性,正在快速滲透消費(fèi)電子、汽車電驅(qū)和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。然而,不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)對GaN器件的需求呈現(xiàn)顯著差異:例如快充領(lǐng)域的LLC諧振拓?fù)湫枰哳l率下的電磁干擾控制,而車載雙向逆變器更關(guān)注動態(tài)電阻與耐壓性能。本文將深入分析半橋拓?fù)?、雙向逆變拓?fù)?、多電平拓?fù)浼捌囍黩?qū)模塊中的氮化鎵技術(shù)痛點,揭示材料特性與系統(tǒng)設(shè)計間的矛盾性關(guān)系。
2025-06-12
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從光伏到充電樁,線繞電阻破解新能源設(shè)備浪涌防護(hù)難題
線繞電阻憑借高可靠性、耐脈沖電流及寬溫域性能,成為新能源與交通領(lǐng)域關(guān)鍵電子元件。在光伏逆變器中限制直流側(cè)電容充電電流,于風(fēng)電變流器Crowbar電路吸收電網(wǎng)故障能量,為電動汽車BMS提供±0.1%精度的四線制電流檢測,并在快充樁中實現(xiàn)緊急泄放儲能。其抗震設(shè)計(10G加速度)、10萬小時壽命及-55℃~175℃耐溫特性,保障極端工況下的系統(tǒng)安全,成為新能源設(shè)備抵御浪涌沖擊、延長服役周期的核心防護(hù)器件,助力綠色能源轉(zhuǎn)型。
2025-05-22
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800V牽引逆變器:解鎖電動汽車?yán)m(xù)航與性能躍升的工程密鑰
在全球電動汽車年銷量突破3000萬輛的產(chǎn)業(yè)拐點(據(jù)BloombergNEF 2025年數(shù)據(jù)),續(xù)航焦慮與性能衰減仍是制約市場滲透率的核心痛點。作為電驅(qū)系統(tǒng)的"心臟",牽引逆變器正通過材料革命與架構(gòu)創(chuàng)新,推動電動汽車實現(xiàn)NEDC工況下750km續(xù)航與百萬公里級耐久性的雙重突破。這場由800V高壓平臺引領(lǐng)的技術(shù)變革,正在重構(gòu)電動汽車的價值鏈競爭力。
2025-05-12
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一文讀懂運(yùn)動控制驅(qū)動器的技術(shù)邏輯
電動驅(qū)動器是一種通過控制設(shè)備來調(diào)節(jié)電動機(jī)操作的系統(tǒng)。驅(qū)動器的主要任務(wù)是管理電能(以及氣動和氣動)轉(zhuǎn)換為機(jī)械能(線性,旋轉(zhuǎn),振蕩或其他類型的運(yùn)動),并針對特定應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。它們由幾個組件組成,包括電動機(jī),伺服電動機(jī),步進(jìn)電動機(jī),逆變器,傳感器和控制系統(tǒng)。
2025-05-09
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金海迪電子攜0.5mm超薄貼片器件亮相深圳電子展 定義新能源磁性元件新標(biāo)桿
2025年4月10日,深圳會展中心9號館內(nèi),濰坊金海迪電子有限公司(展位9C515)以全球首發(fā)姿態(tài)引爆第105屆中國電子展。作為高頻貼片磁性器件領(lǐng)域的隱形冠軍,這家國家級高新技術(shù)企業(yè)重磅推出厚度僅0.5mm的SMD-8015型超薄貼片電流互感器,其突破性的±0.3%檢測精度和125℃高溫耐受性能,直擊微型逆變器與儲能設(shè)備微型化痛點。展臺上,由全自動化產(chǎn)線打造的PT-3200系列貼片變壓器同步亮相,以30%的體積壓縮比和醫(yī)療級可靠性標(biāo)準(zhǔn),向全球客商演繹中國精密電子元件的"硬核科技"進(jìn)階之路。
2025-04-10
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為什么碳化硅Cascode JFET?可以輕松實現(xiàn)硅到碳化硅的過渡?
電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅,碳化硅具備多項技術(shù)優(yōu)勢(圖1),這使其在電動汽車、數(shù)據(jù)中心,以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角,成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。
2025-03-11
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傳輸晶體管邏輯簡介
流經(jīng)通道的電流問題會導(dǎo)致典型 CMOS 功能的一個更微妙但至關(guān)重要的方面。 CMOS 反相器確保輸出節(jié)點與電源軌或地具有低電阻連接;反相器總是NMOS導(dǎo)通、PMOS截止或PMOS導(dǎo)通、NMOS截止。這就是為什么我們可以說 CMOS 電路驅(qū)動邏輯低或邏輯高。這也是為什么圍繞逆變器拓?fù)錁?gòu)建的邏輯電路如此可靠的“數(shù)字”——所有節(jié)點都具有明確定義的二進(jìn)制狀態(tài),因為它們始終具有通向電源電壓或接地的低電阻路徑。
2025-02-11
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用第三代 SiC MOSFET設(shè)計電源性能和能效表現(xiàn)驚人!
在各種電源應(yīng)用領(lǐng)域,例如工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉(zhuǎn)換器、電池充電器、儲能系統(tǒng)等,人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優(yōu)性能。性能要求越來越嚴(yán)苛,已經(jīng)超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力,因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶體管架構(gòu)應(yīng)運(yùn)而生。
2025-01-17
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第13講:超小型全SiC DIPIPM
三菱電機(jī)從1997年開始將DIPIPM產(chǎn)品化,廣泛應(yīng)用于空調(diào)、洗衣機(jī)、冰箱等白色家用電器,以及通用變頻器、機(jī)器人等工業(yè)設(shè)備。本公司的DIPIPM功率模塊采用壓注模結(jié)構(gòu),由功率芯片和具有驅(qū)動及保護(hù)功能的控制IC芯片組成。通過優(yōu)化功率芯片和控制IC,預(yù)先調(diào)整了開關(guān)速度等特性。搭載驅(qū)動電路、保護(hù)電路、電平轉(zhuǎn)換電路的HVIC(High Voltage IC),可通過CPU或微機(jī)的輸入信號直接控制,通過單電源化和消除光耦來減小電路板尺寸,并實現(xiàn)高可靠性。另外,內(nèi)置BSD(Bootstrap Diode),可減少外圍元件數(shù)量。因此,DIPIPM使逆變器外圍電路的設(shè)計變得更加容易,有助于客戶逆變器電路板的小型化和縮短設(shè)計時間。
2025-01-09
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IGBT 模塊在頗具挑戰(zhàn)性的逆變器應(yīng)用中提供更高能效
制造商和消費(fèi)者都在試圖擺脫對化石燃料能源的依賴,電氣化方案也因此廣受青睞。這對于保護(hù)環(huán)境、限制污染以及減緩破壞性的全球變暖趨勢具有重要意義。電動汽車 (EV) 在全球日益普及,眾多企業(yè)紛紛入場,試圖將商用和農(nóng)業(yè)車輛 (CAV) 改造成由電力驅(qū)動。
2025-01-08
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準(zhǔn) Z 源逆變器的設(shè)計
qZSI 旨在解決與可再生能源中電壓范圍受限相關(guān)的挑戰(zhàn),與 CSI 和 VSI 等傳統(tǒng)逆變器拓?fù)洳煌琿ZSI 可以處理功率波動。qZSI 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)增強(qiáng)了對突然電壓尖峰等故障的容忍度,從而提高了電壓轉(zhuǎn)換的整體效率和可靠性。QZSI 是從 Z 源逆變器 (ZSI) 拓?fù)溲葑兌鴣淼?,允許在一個階段進(jìn)行升壓和降壓操作。
2024-12-22
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貿(mào)澤電子攜手安森美和Würth Elektronik推出新一代太陽能和儲能解決方案
專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 攜手安森美 (onsemi) 和 Würth Elektronik為持續(xù)增長的太陽能逆變器市場提供豐富的解決方案。
2024-12-09
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