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諧振器整合超低電壓電路,MEMS振蕩器功耗降低50%

發(fā)布時間:2013-01-07 責(zé)任編輯:hedyxing

【導(dǎo)讀】MEMS振蕩器雖擁有尺寸微縮、精準(zhǔn)度媲美石英振蕩器的優(yōu)勢,但內(nèi)部包含前端MEMS諧振器與后端補(bǔ)償電路,由于晶圓制程變異與MEMS元件特性,仍面臨單價高、溫度及電壓適應(yīng)力弱等問題;同時,其驅(qū)動電壓仍在1.8~3.3伏特(V)之間,要縮減功耗滿足行動裝置需求,就須導(dǎo)入更多省電機(jī)制,影響系統(tǒng)效能與成本。因此,工研院提出MEMS諧振器整合超低電壓電路的解決方案,全力克服上述問題。

隨著傳統(tǒng)石英振蕩器逐漸難以滿足行動裝置輕薄、低功耗設(shè)計需求,業(yè)界已轉(zhuǎn)向運(yùn)用標(biāo)準(zhǔn)化半導(dǎo)體制程研發(fā)微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)振蕩器、超低電壓無石英(Crystal-less)時脈產(chǎn)生器;近期,工研院更積極融合兩種技術(shù)優(yōu)點(diǎn),進(jìn)一步打造高精準(zhǔn)度、低耗電與小尺寸時脈元件,以滿足行動裝置日益嚴(yán)苛的設(shè)計要求。

工研院資通所低功耗混合訊號部技術(shù)副理李瑜表示,目前市面上有三種時脈元件解決方案,分別是石英振蕩器、MEMS振蕩器及無石英時脈產(chǎn)生器。在行動裝置嚴(yán)格要求低功耗、輕薄化的影響下,傳統(tǒng)石英振蕩器因須采用金屬或陶瓷封裝,不僅生產(chǎn)成本較高、交貨期間長,且難微縮封裝尺寸與高度,地位已漸漸式微;相較之下,MEMS振蕩器及無石英時脈產(chǎn)生器則快速崛起,開始瓜分行動裝置市場商機(jī)。

其中,MEMS振蕩器雖擁有尺寸微縮、精準(zhǔn)度媲美石英振蕩器的優(yōu)勢,但內(nèi)部包含前端MEMS諧振器與后端補(bǔ)償電路,由于晶圓制程變異與MEMS元件特性,仍面臨單價高、溫度及電壓適應(yīng)力弱等問題;同時,其驅(qū)動電壓仍在1.8~3.3伏特(V)之間,要縮減功耗滿足行動裝置需求,就須導(dǎo)入更多省電機(jī)制,影響系統(tǒng)效能與成本。因此,工研院提出MEMS諧振器整合超低電壓電路的解決方案,全力克服上述問題。

李瑜透露,工研院日前發(fā)布超低電壓晶片技術(shù),將與MEMS振蕩器進(jìn)一步結(jié)合,催生更高整合度、低耗電時脈元件。現(xiàn)階段,資通所與南分院正緊鑼密鼓展開新產(chǎn)品研發(fā)計畫,將整合MEMS諧振器,以及一顆基于0.3~0.5伏特(V)超低電壓補(bǔ)償電路製成的特定應(yīng)用積體電路(ASIC),兼容前者的高精準(zhǔn)度、高頻率穩(wěn)定性,以及后者的低電壓驅(qū)動、適應(yīng)溫度范圍等優(yōu)點(diǎn)。

李瑜分析,MEMS振蕩器相容半導(dǎo)體制程與封裝技術(shù),極具尺寸微縮、晶片整合度、量產(chǎn)速度與成本等效益,且頻率精準(zhǔn)度平均已達(dá)到10~20ppm以下,滿足中高階時脈應(yīng)用產(chǎn)品規(guī)格;未來整合超低電壓補(bǔ)償電路后,更有助改善MEMS振蕩器操作環(huán)境變異、時脈穩(wěn)定度問題,提供更出色的效能修復(fù)機(jī)制,并降低50%以上功耗。

此外,利用經(jīng)驗(yàn)證、優(yōu)化的超低電壓晶片技術(shù),亦可減輕MEMS振蕩器在晶圓層級、功能性及溫度測試的復(fù)雜度,從而壓縮測試時間與成本,更快達(dá)成降價目的,以加速取代石英振蕩器。

不僅如此,MEMS廠也開始醞釀行動系統(tǒng)單晶片(SoC)內(nèi)建MEMS振蕩器的解決方案,以去除外部時脈電路,達(dá)到提升效能與降低成本的雙重功效。李瑜認(rèn)為,這是MEMS振蕩器的獨(dú)特設(shè)計優(yōu)勢,有助其壓低單價并快速提高滲透率,進(jìn)而擴(kuò)大取代石英產(chǎn)品;反觀石英元件封裝形式與SoC則不相容,無法達(dá)成該設(shè)計需求。

至于無石英時脈產(chǎn)生器方面的進(jìn)展,工研院亦已開發(fā)一款超低電壓時脈產(chǎn)生器,除尺寸非常微小外,亦將功耗控制在12微瓦(µW)以下,并達(dá)到±500ppm精準(zhǔn)度水準(zhǔn),可望在中低階時脈應(yīng)用領(lǐng)域快速擴(kuò)張版圖。

顯而易見,傳統(tǒng)石英振蕩器正面臨左右夾攻的局面;為扳回一城,相關(guān)供應(yīng)鏈業(yè)者已著手改良石英時脈元件的封裝技術(shù),甚至進(jìn)一步投入測試可匹配半導(dǎo)體制程的生產(chǎn)方案,期大幅縮減尺寸與成本,防堵MEMS、超低電壓時脈產(chǎn)生器的強(qiáng)力攻勢。
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