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SiB41*DK / SiB911DK：Vishay PowerPAK SC-75封裝功率MOSFET系列
Vishay宣布推出采用 PowerPAK SC-75 封裝的 p 通道功率MOSFET系列，該系列包括額定電壓介于 8V～30V 的多個器件，這些是采用此封裝類型的首批具有上述額定電壓的器件。
2008-08-20
SiB911DK、SiB415DK、SiB411DK、SiB413DK、SiB419DK、SiB417DK SiB417EDK SiB414DK SiB412DK 場效應(yīng)管 MOSFET
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BTAxxx系列：安森美半導(dǎo)體隔離型三端雙向可控硅開關(guān)元件
安森美半導(dǎo)體擴充高性能三端雙向可控硅開關(guān)元件(TRIAC)產(chǎn)品系列，推出12款新的TRIAC，提供8、12和16安培(A)的可用額定功率，具有35和50毫安(mA)的門觸發(fā)電流(Igt)。這BTAxxx系列器件非常適合于講究隔離電壓、且安全是首要考慮的工業(yè)和控制應(yīng)用。
2008-08-18
可控硅 TRIAC BTAxxx BTBxxx 工業(yè)和控制應(yīng)用
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VCS1625Z ：Vishay改進的S系列高精度箔電阻
Vishay宣布推出改進的 S 系列高精度 Bulk Metal? 箔 (BMF) 電阻，這些電阻在 -55°C～+125°C（+25°C 參考點）時具有 ±2 ppm/°C 的軍用級典型 TCR、±0.005% 的容差，以及超過 10,000 小時的 ±0.005% 負載壽命穩(wěn)定性。
2008-08-15
VCS1625Z 箔電阻 軍事航空
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298D系列：Vishay便攜應(yīng)用固體鉭芯片電容器系列小封裝產(chǎn)品
Vishay宣布擴展其 298D系列 MicroTan? 固體鉭芯片電容器，推出0402 封裝尺寸的298D。此電容器充分利用已獲專利的MAP（多陣列封裝）裝配技術(shù)以擴展產(chǎn)品系列，現(xiàn)已可在超薄小型0402 K封裝中提供4.7μF-4V至10μF-4V的電容電壓。
2008-08-15
298D 鉭電容器 便攜應(yīng)用
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VSMP0603：Vishay Bulk Metal Z箔卷型表面貼裝電阻
Vishay宣布推出新型 VSMP0603超高精度Bulk Metal Z 箔卷型表面貼裝電阻。典型的 0603 電阻經(jīng)過 1000 小時工作負荷后負載壽命穩(wěn)定性 ≥0.1%，Vishay 新型器件在這方面已大幅改進，在額定功率、溫度 70oC 情況下工作 2000 小時負載壽命穩(wěn)定性為 ±0.005%。
2008-08-13
VSMP0603 表面貼裝電阻 軍用級
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MarKK：Molex大電流應(yīng)用端子
為滿足不斷提升的電流承載能力要求而設(shè)計的Molex MarKK端子是KK端子系列中的新一代產(chǎn)品。MarKK壓接端子采用高導(dǎo)電率的合金，在兩路系統(tǒng)中每線可承載13.5A電流。它可以用于大型和小型計算機，家用電器和消費性電子產(chǎn)品，供暖、排風(fēng)、空調(diào)以及診斷設(shè)備。
2008-08-12
MarKK 端子 連接器
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微封裝晶體管和二極管：安森美半導(dǎo)體便攜應(yīng)用產(chǎn)品
安森美半導(dǎo)體擴充分立器件封裝系列，推出新微封裝的晶體管和二極管。新增加的封裝拓展了公司的微封裝晶體管和二極管系列，配合當(dāng)今空間受限型便攜應(yīng)用的嚴峻設(shè)計需求。
2008-08-12
晶體管 二極管 NZ9F 低正向壓降肖特基二極管 齊納二極管 便攜應(yīng)用
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