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多晶硅量子效應(yīng)及其對MOSFET閾值電壓的影響
根據(jù)載流子分布曲線近似，通過求解泊松方程，得到了多晶硅中電場及其電勢的分布，計算了在不同摻雜濃度下多晶硅量子效應(yīng)所引起的MOSFET閾值電壓的偏移，并與數(shù)值模擬的結(jié)果進(jìn)行了比較，表明其具有較好的準(zhǔn)確性
2009-01-17
多晶硅量子 MOSFET 閾值電壓
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FCI收購IMPLO Technologies公司
法國FCI日前收購了面向電力市場的內(nèi)爆(implosive)連接器產(chǎn)品開發(fā)商——IMPLO Technologies公司，這項收購將使FCI能夠把IMPLO開發(fā)的技術(shù)用于其為電力傳輸連接應(yīng)用提供的產(chǎn)品。
2009-01-16
FCI內(nèi)爆技術(shù) 電力應(yīng)用
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太陽能發(fā)電成本下降，2010年將達(dá)到每千瓦時0.13美元
太陽能發(fā)電的成本不斷下降，但仍高于傳統(tǒng)的發(fā)電技術(shù)。
2009-01-15
太陽能發(fā)電 薄膜太陽能光電模組 硅晶太陽能光電模組
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WSLT2010xxx18：Vishay寬廣工作溫度電流感測電阻
Vishay日前推出新型高溫1-W 表面貼裝 Power Metal Strip電阻，該產(chǎn)品是業(yè)界首款可在–65°C 到+275°C 溫度范圍內(nèi)工作的2010 封裝尺寸電流感測電阻 --- WSLT2010…18。WSLT2010…18 電阻具有極低的電阻值范圍（10-m? 到 500-m?）、較低的誤差（低至 ±0.5%）和低 TCR 值（低至 ±75 ppm/°C）。
2009-01-15
WSLT2010…18 電阻 Power Metal Strip 電流感測電阻 EMF TCR
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08年國內(nèi)高純多晶硅產(chǎn)量同比爆增263.7%
國內(nèi)20多個省市把光伏產(chǎn)業(yè)作重點，規(guī)劃或計劃建設(shè)多晶硅項目，國內(nèi)對千噸級多晶硅的規(guī)?；a(chǎn)技術(shù)尚未完全掌握，但光伏太陽能下游產(chǎn)能增長快，為國內(nèi)多晶硅企業(yè)提升工藝技術(shù)留下緩沖時間。
2009-01-14
洛陽中硅 新光硅業(yè) 江蘇中能 東汽峨嵋 多晶硅 光伏產(chǎn)業(yè) 太陽能
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“可以給壁掛電視充電”，Powermat公開非接觸充電技術(shù)
以色列Powermat公司在面向新聞界舉行的CES 2009會前發(fā)布會上，公開演示了該公司的非接觸充電系統(tǒng)。不久之后將上市用于手機(jī)、智能電話、便攜式游戲終端及個人電腦的非接觸充電產(chǎn)品。
2009-01-14
CES 2009 磁耦合 電腦 手機(jī) 智能手機(jī) 游戲終端 壁掛電視 照明 適配器 RFID
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2008年1-11月電子產(chǎn)品進(jìn)出口達(dá)8242億美元
2008年以來，我國電子信息產(chǎn)品進(jìn)出口貿(mào)易保持平穩(wěn)較快增長態(tài)勢，但自下半年起增幅明顯回落。1-11月，電子信息產(chǎn)品累計進(jìn)出口總額為 8242.2億美元，同比增長13.3%，比2007年同期下降10.3%，低于同期全國商品進(jìn)出口增幅7.6%。
2009-01-12
電子信息 進(jìn)出口貿(mào)易 電子元件
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照明及筆記本電腦背光應(yīng)用有望幫助LED產(chǎn)業(yè)渡過寒冬
發(fā)光二極管(LED)廠商對今年第1季景氣看法，普遍與一般電子廠雷同，“能見度低”、“沒有答案”，不過廠商還是期待能靠新應(yīng)用的崛起安渡景氣寒冬。
2009-01-12
LED 背光 筆記本電腦 LED照明 LED背光
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政策引導(dǎo)和技術(shù)進(jìn)步推動09年中國太陽能電池產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整
賽迪顧問研究認(rèn)為，隨著全球?qū)稍偕?、清潔和安全能源需求的日益提升，薄膜技術(shù)等新技術(shù)的創(chuàng)新和成本的逐步降低，09年中國太陽能電池產(chǎn)業(yè)將會在產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)上出現(xiàn)局部調(diào)整，新的應(yīng)用也將涌現(xiàn)市場。
2009-01-09
太陽能 產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu) 薄膜技術(shù) 移動電源
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