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戰(zhàn)略布局再進(jìn)一步：意法半導(dǎo)體2025股東大會關(guān)鍵決議全票通過
意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，NYSE：STM）2025年股東大會于荷蘭阿姆斯特丹圓滿落幕，大會全票通過所有決議案。作為全球多重電子應(yīng)用領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)者，此次決議將為公司戰(zhàn)略布局注入新動(dòng)能。
2025-06-20
意法半導(dǎo)體 股東大會
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μV級精度保衛(wèi)戰(zhàn)：信號鏈電源噪聲抑制架構(gòu)全解，拒絕LSB丟失！
在精密測量、醫(yī)療儀器及工業(yè)傳感系統(tǒng)中，信號鏈的μV級精度直接決定系統(tǒng)性能上限。而電源噪聲，常以隱形殺手的姿態(tài)吞噬ADC/DAC的有效位數(shù)——當(dāng)1mV電源紋波可導(dǎo)致12位ADC丟失4個(gè)LSB時(shí)，電源架構(gòu)選型便成為精度保衛(wèi)戰(zhàn)的核心戰(zhàn)場。本文從噪聲頻譜與拓?fù)浔举|(zhì)出發(fā)，拆解LDO、開關(guān)電源及混合架構(gòu)的噪聲基因...
2025-06-20
電源噪聲 ADC精度 PSRR優(yōu)化 信號鏈噪聲抑制 LDO選型 開關(guān)電源濾波
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從單管到并聯(lián)：SiC MOSFET功率擴(kuò)展實(shí)戰(zhàn)指南
在10kW-50kW中高功率應(yīng)用領(lǐng)域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現(xiàn)并存趨勢。分立方案憑借更高設(shè)計(jì)自由度和靈活并聯(lián)擴(kuò)容能力突圍——當(dāng)單管功率不足時(shí)，只需并聯(lián)一顆MOSFET即可實(shí)現(xiàn)功率躍升，為工業(yè)電源、新能源系統(tǒng)提供模塊之外的革新選擇。
2025-06-20
SiC MOSFET并聯(lián) 高功率設(shè)計(jì) 分立器件優(yōu)勢 功率擴(kuò)展 熱管理設(shè)計(jì) 并聯(lián)可靠性
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如何選擇正確的工業(yè)自動(dòng)化應(yīng)用的儀表放大器？
在自動(dòng)化程度日益提升的工廠環(huán)境中，儀表放大器作為微弱信號采集的“感知末梢”，其性能穩(wěn)定性直接關(guān)乎設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)與生產(chǎn)效率。如何正確選擇一款堅(jiān)固耐用、高精可靠的工業(yè)級儀表放大器？本文將揭秘工業(yè)級儀表放大器的五維選型矩陣與三大致命場景破解方案，助您筑起工業(yè)信號鏈的銅墻鐵壁。
2025-06-19
工業(yè)自動(dòng)化應(yīng)用 儀表放大器選型 工業(yè)傳感器接口 抗干擾信號調(diào)理
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高結(jié)溫IC設(shè)計(jì)避坑指南：5大核心挑戰(zhàn)與應(yīng)對策略
在商業(yè)、工業(yè)及汽車電子領(lǐng)域，高溫環(huán)境對集成電路的性能、可靠性和安全性構(gòu)成嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。隨著應(yīng)用場景向極端溫度條件延伸，高結(jié)溫引發(fā)的漏電增加、壽命衰減等問題日益凸顯，亟需通過創(chuàng)新設(shè)計(jì)技術(shù)突破技術(shù)瓶頸。本文將解析高溫對集成電路的深層影響，揭示高結(jié)溫帶來的五大核心挑戰(zhàn)，并探討針對性的高...
2025-06-18
高溫IC 高溫IC設(shè)計(jì) 高結(jié)溫挑戰(zhàn) 工業(yè)芯片高溫應(yīng)用
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優(yōu)化儀表放大器的設(shè)計(jì)提升復(fù)雜電磁環(huán)境中的抗干擾能力
在復(fù)雜電磁環(huán)境中，儀表放大器的抗干擾能力直接決定了信號采集的精度與可靠性。以下從電路設(shè)計(jì)、封裝工藝到系統(tǒng)優(yōu)化的全鏈路技術(shù)手段，可全面提升儀表放大器的抗干擾性能。
2025-06-17
儀表放大器 抗干擾設(shè)計(jì) CMRR優(yōu)化 EMI抑制 電磁屏蔽 共模抑制 工業(yè)傳感器 醫(yī)療電子 復(fù)雜電磁環(huán)境
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儀表放大器如何成為精密測量的幕后英雄？
在紛繁復(fù)雜的電子信號世界中，微弱而珍貴的真實(shí)信號常常淹沒在強(qiáng)大的噪聲干擾之中。此時(shí)，儀表放大器便如一位技藝高超的“信號雕刻家”，憑借其非凡的共模抑制能力與高精度特性，從混沌中精準(zhǔn)提取出我們所需的微弱信號差異。作為模擬電子電路中的核心精密器件，它不僅是現(xiàn)代高精度測量系統(tǒng)的基石，更...
2025-06-16
儀表放大器 差分放大器 信號調(diào)理 低噪聲放大器
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從失效案例逆推：獨(dú)石電容壽命計(jì)算與選型避坑指南
在新能源汽車電機(jī)控制器中，因獨(dú)石電容（MLCC）壽命估算偏差導(dǎo)致的批次召回事件屢見不鮮——某車企因未考慮電壓波動(dòng)影響，實(shí)測電容壽命僅為理論值的30%，最終付出1.2億元代價(jià)。MLCC的壽命不僅關(guān)乎電子系統(tǒng)的可靠性，更直接影響企業(yè)的質(zhì)量成本。本文通過拆解溫度、電壓、濕度三大力學(xué)模型，結(jié)合車規(guī)、...
2025-06-15
獨(dú)石電容壽命計(jì)算 高溫老化測試
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安森美SiC Cascode技術(shù)：共源共柵結(jié)構(gòu)深度解析
碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻（稱為RDS.A）。為了實(shí)現(xiàn)最低的RDS.A，需要權(quán)衡的一點(diǎn)是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵極處于懸空狀態(tài)，那么JFET將完全導(dǎo)通。
2025-06-13
安森美SiC Cascode FET 共源共柵結(jié)構(gòu) 碳化硅功率器件
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