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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（八）——利用瞬態(tài)熱阻計算二極管浪涌電流
功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-25
功率器件 熱設(shè)計 瞬態(tài)熱阻 二極管 浪涌電流
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（九）——功率半導體模塊的熱擴散
任何導熱材料都有熱阻，而且熱阻與材料面積成反比，與厚度成正比。按道理說，銅基板也會有額外的熱阻，那為什么實際情況是有銅基板的模塊散熱更好呢？這是因為熱的橫向擴散帶來的好處。
2024-12-22
功率器件 熱設(shè)計 功率半導體模塊 熱擴散
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準 Z 源逆變器的設(shè)計
qZSI 旨在解決與可再生能源中電壓范圍受限相關(guān)的挑戰(zhàn)，與 CSI 和 VSI 等傳統(tǒng)逆變器拓撲不同，qZSI 可以處理功率波動。qZSI 拓撲結(jié)構(gòu)增強了對突然電壓尖峰等故障的容忍度，從而提高了電壓轉(zhuǎn)換的整體效率和可靠性。QZSI 是從 Z 源逆變器 （ZSI） 拓撲演變而來的，允許在一個階段進行升壓和降壓操作。
2024-12-22
逆變器
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第12講：三菱電機高壓SiC芯片技術(shù)
三菱電機開發(fā)了高耐壓SiC MOSFET，并將其產(chǎn)品化，率先將其應(yīng)用于驅(qū)動鐵路車輛的變流器中，是一家在市場上擁有良好業(yè)績記錄的SiC器件制造商。本篇帶你了解三菱電機高壓SiC芯片技術(shù)。
2024-12-22
三菱電機 SiC 芯片技術(shù)
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一文看懂電壓轉(zhuǎn)換的級聯(lián)和混合概念
對于需要從高輸入電壓轉(zhuǎn)換到極低輸出電壓的應(yīng)用，有不同的解決方案。一個有趣的例子是從48 V轉(zhuǎn)換到3.3 V。這樣的規(guī)格不僅在信息技術(shù)市場的服務(wù)器應(yīng)用中很常見，在電信應(yīng)用中同樣常見。
2024-12-22
電壓轉(zhuǎn)換 級聯(lián) 混合
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運算放大器參數(shù)的簡易測量“指南”
運算放大器是差分輸入、單端輸出的極高增益放大器，常用于高精度模擬電路，因此必須精確測量其性能。但在開環(huán)測量中，其開環(huán)增益可能高達107或更高，而拾取、雜散電流或塞貝克（熱電偶）效應(yīng)可能會在放大器輸入端產(chǎn)生非常小的電壓，這樣誤差將難以避免。
2024-12-20
運算放大器 測量
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借助熱插拔控制器，確保系統(tǒng)持續(xù)穩(wěn)定運行
在電子產(chǎn)品中，在不中斷系統(tǒng)運行的情況下安全地插入和拔出電源模塊的能力至關(guān)重要。眾所周知，熱插拔1已成為從數(shù)據(jù)中心到電信系統(tǒng)等許多應(yīng)用的基本功能。為了確保系統(tǒng)在這些操作期間的安全性和完整性，需要專門的控制器。ADI公司的LTC4287在這類產(chǎn)品中具有明顯優(yōu)勢。本文深入探討了這款熱插拔控制器...
2024-12-16
熱插拔 控制器
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探究電路里0.1uF和0.01uF電容的共存之謎
旁路電容(Bypass Capacitor)和去耦電容(Decoupling Capacitor)這兩個概念在電路中是常見的，但是真正理解起來并不容易。
2024-12-16
電路 電容
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為何混合型交流浪涌保護器是浪涌保護首選？
現(xiàn)在的電子設(shè)備無處不在且發(fā)展迅速，其越來越敏感的電路在很大程度上依賴前端保護，因為它們要接入電力基礎(chǔ)設(shè)施，而這些基礎(chǔ)設(shè)施可能有或者沒有最新的電壓浪涌和瞬態(tài)保護功能。這些瞬態(tài)事件可能是由雷擊、開關(guān)動作或類似的電壓浪涌事件造成的結(jié)果，會導致過電壓和過電流事件，進而損壞敏感電子設(shè)備...
2024-12-16
交流浪涌保護器 浪涌保護
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