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經(jīng)驗(yàn)分享：淺談電感反向電動(dòng)勢(shì)
很早以前做單片機(jī)時(shí)，知道馬達(dá)，繼電器一類電感線圈需要并聯(lián)一個(gè)反向續(xù)流二極管，防止電感產(chǎn)生的反向電動(dòng)勢(shì)損壞線圈。近來(lái)突發(fā)思考，在考慮如何徹底 地理解這個(gè)反向電動(dòng)勢(shì)的產(chǎn)生及方向問(wèn)題，期間查閱了相關(guān)資料，也有了新的一些理解，糾正了以前的誤解。在此一并寫(xiě)出，作為總結(jié)。
2014-09-24
電感 反向電動(dòng)勢(shì)
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如何精準(zhǔn)的設(shè)計(jì)晶振的匹配電容問(wèn)題？
單片機(jī)晶振旁的2個(gè)電容是晶體的匹配電容，只有在外部所接電容為匹配電容的情況下，振蕩頻率才能保證在標(biāo)稱頻率附近的誤差范圍內(nèi)。 最好按照所提供的數(shù)據(jù)來(lái)，如果沒(méi)有，一般是30pF左右。太小了不容易起振。
2014-09-23
晶振 匹配電容
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大師教你如何檢測(cè)IGBT好壞簡(jiǎn)便方法
如何來(lái)檢測(cè)IGBT好壞簡(jiǎn)便方法？這里大師來(lái)教你：將數(shù)字萬(wàn)用表?yè)艿蕉O管測(cè)試檔，測(cè)試IGBT模塊c1 e1、c2 e2之間以及柵極G與 e1、 e2之間正反向二極管特性，來(lái)判斷IGBT模塊是否完好。
2014-09-23
IGBT 檢測(cè)IGBT
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知識(shí)對(duì)比：升降壓與Cuk斬波電路模塊比較分析
升降壓電路工作原理過(guò)程如下：當(dāng)可控開(kāi)關(guān)V處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，電源E通過(guò)可控開(kāi)關(guān)V向電感L供電并使能量存儲(chǔ)在電感中，此時(shí)流出電源E的電流為i1，方向如圖4所示。而電容C此時(shí)不僅要使輸出電壓保持恒定，而且要為負(fù)載R供電。
2014-09-23
電路模塊 斬波 升降壓
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PCB設(shè)計(jì)必知：教你如何快速制作電路板
作為一名電路設(shè)計(jì)工程師，在產(chǎn)品設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)階段，您是否遇到過(guò)這樣的問(wèn)題：隨著電子通訊頻率的提高，對(duì)PCB線路精度的要求越來(lái)越高，擇優(yōu)選取使得產(chǎn)品可靠性要求越來(lái)越高等，本文將為大家解決這些問(wèn)題。
2014-09-23
PCB 電路板
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技術(shù)大爆炸：電壓雙象限Buck-Boost電路拓?fù)?/span>
在傳統(tǒng)全橋電路中，單象限電路被廣泛應(yīng)用。本文中詳細(xì)介紹了一款新電路，使設(shè)計(jì)的電源能更廣泛應(yīng)用在各領(lǐng)域中。本文引出雙象限的概念，并詳細(xì)解析電壓雙象限Buck、Boost、Buck-Boost電路，對(duì)開(kāi)關(guān)器件關(guān)斷和開(kāi)通分析。
2014-09-23
雙象限 Boost
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技術(shù)大爆炸：晶體一秒變晶振，成本直降60%
通常，我們會(huì)將“晶體”(Crystal)和“晶振”(Oscillator)都叫成“晶振”，這種叫法并不恰當(dāng)。無(wú)源晶體是有兩個(gè)引腳的無(wú)極性元件。正常工作時(shí)，需要借助外部電路產(chǎn)生振蕩信號(hào)，自身并不需要單獨(dú)外加電源。而有源晶振一般有四個(gè)引腳，其內(nèi)部集成石英晶體、晶體管、電阻電容等元件。晶振是一個(gè)完整的振蕩器，...
2014-09-23
晶體 晶振
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幾種可有效開(kāi)關(guān)電源的電磁干擾抑制方法
許多大學(xué)及科研單位都進(jìn)行了開(kāi)關(guān)電源EMI的研究，他們中有些從EMI產(chǎn)生的機(jī)理出發(fā)，有些從EMI 產(chǎn)生的影響出發(fā)，都提出了許多實(shí)用有價(jià)值的方案。這里分析與比較了幾種有效的方案，并為開(kāi)關(guān)電源EMI 的抑制措施提出新的參考建議。
2014-09-23
開(kāi)關(guān)電源 電磁干擾
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電容在電路中的作用得知方法
電容器在電子電路中幾乎是不可缺少的儲(chǔ)能元件，它具有隔斷直流、連通交流、阻止低頻的特性。廣泛應(yīng)用在耦合、隔直、旁路、濾波、調(diào)諧、能量轉(zhuǎn)換和自動(dòng)控制等電路中。熟悉電容器在不同電路中的名稱意義，有助于我們讀懂電子電路圖。
2014-09-23
電容 電路
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