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PCB設(shè)計(jì)時(shí)抗ESD的方法
來(lái)自人體、環(huán)境甚至電子設(shè)備內(nèi)部的靜電對(duì)于精密的半導(dǎo)體芯片會(huì)造成各種損傷，例如穿透元器件內(nèi)部薄的絕緣層；損毀MOSFET和CMOS元器件的柵極；CMOS器件中的觸發(fā)器鎖死；短路反偏的PN結(jié)；短路正向偏置的PN結(jié)；熔化有源器件內(nèi)部的焊接線(xiàn)或鋁線(xiàn)。為了消除靜電釋放(ESD)對(duì)電子設(shè)備的干擾和破壞，需要采取...
2010-03-05
PCB設(shè)計(jì) 抗ESD 瞬態(tài)保護(hù)
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靜電放電干擾及其抑制
在電子控制設(shè)備外殼上放電是經(jīng)常見(jiàn)到的放電現(xiàn)象，放電電流流過(guò)金屬外殼，產(chǎn)生電場(chǎng)和磁場(chǎng)，通過(guò)分布阻抗鍋臺(tái)到殼內(nèi)的電源線(xiàn)、信號(hào)線(xiàn)等內(nèi)部走線(xiàn)，引起誤功作。電子控制設(shè)備的信號(hào)線(xiàn)或地線(xiàn)上也可直接放電，如鍵盤(pán)或顯示裝置等接口處的放電，其干擾后果更為嚴(yán)重。本文講述靜電放電干擾及其抑制
2010-03-05
靜電 放電干擾 ESD
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碳零排放——檳城電子植樹(shù)總動(dòng)員
參加此次植樹(shù)活動(dòng)的除了檳城電子的全體員工外，還邀請(qǐng)了檳城的代理商和供應(yīng)商參加?？偣?00多人，共分成了4個(gè)植樹(shù)小分隊(duì)。在蔡總的帶領(lǐng)下，我們拿著植樹(shù)的工具，拉著小樹(shù)苗，迎著春天的暖風(fēng)，到了自己的領(lǐng)地。大家的勢(shì)頭都很足，精神抖擻，各個(gè)都掄起鐵鍬鋤頭，為小樹(shù)苗挖樹(shù)坑。
2010-03-05
低碳 檳城電子 植樹(shù) 綠化 減碳
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減小ESD引起的停機(jī)時(shí)間
靜電是一種看不見(jiàn)的破壞力，會(huì)對(duì)電子元器件產(chǎn)生影響。ESD未必總造成元器件的完全失效；它會(huì)造成一般測(cè)試無(wú)法檢測(cè)到的元器件潛在缺陷。這種“脆弱”的元器件在系統(tǒng)工作期間，在惡劣環(huán)境條件下，更可能在現(xiàn)場(chǎng)發(fā)生失效。在制造、儲(chǔ)存、運(yùn)輸、包裝、組裝、測(cè)試階段采取一些簡(jiǎn)單的預(yù)防措施，再適當(dāng)?shù)卦O(shè)計(jì)電...
2010-03-04
ESD 瞬變抑制 靜電
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數(shù)字隔離元件應(yīng)用介紹
光耦合器和數(shù)字隔離元件都能用于隔離和提供一條跨越隔離層的通信鏈路。這兩種技術(shù)都有其各自?xún)?yōu)點(diǎn)。本文主要介紹數(shù)字隔離元件應(yīng)用介紹
2010-03-03
數(shù)字隔離元件 光耦合器 光發(fā)射器 CMOS
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利用過(guò)壓保護(hù)IC實(shí)現(xiàn)電池保護(hù)和切換功能
為了盡可能延長(zhǎng)電池的使用壽命，大多數(shù)便攜式設(shè)備采用內(nèi)、外兩種供電模式：沒(méi)有外部電源時(shí)采用設(shè)備自帶的電池供電；當(dāng)有外部電源接入時(shí)立即切換到外部電源。本文主要講述利用過(guò)壓保護(hù)IC實(shí)現(xiàn)電池保護(hù)和切換功能。
2010-03-02
保護(hù)IC 電池保護(hù) MOSFET
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Diodes推出能夠容忍電話(huà)線(xiàn)瞬變的高壓二極管陣列
Diode公司推出擊穿電壓為400V的四開(kāi)關(guān)二極管陣列MMBD5004BRM，旨在承受DAA調(diào)制解調(diào)器正極和負(fù)極電話(huà)線(xiàn)接口和一般離線(xiàn)整流應(yīng)用中最壞的線(xiàn)瞬變情況。
2010-03-01
Diode 二極管陣列 MMBD5004BRM
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接地裝置的自我保護(hù)
接地是在長(zhǎng)期實(shí)踐中總結(jié)出來(lái)的對(duì)電氣設(shè)備安全使用的必要保護(hù)措施。但因接地措施的缺陷，如接地不規(guī)范、接地不良、接地失效等，以致發(fā)生重大事故的，仍屢見(jiàn)不鮮。其中大多數(shù)情況，是接地體、接地線(xiàn)等裝置本身過(guò)度腐蝕所致。接地裝置如何自我保護(hù)？
2010-02-23
接地裝置 碳鋼 有色金屬材料
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CCTV系統(tǒng)防雷
雷擊是年復(fù)一年的嚴(yán)重自然災(zāi)害之一,隨著我國(guó)微電子設(shè)備內(nèi)部結(jié)構(gòu)高度集成化(VLSI芯片),從而造成設(shè)備耐過(guò)電壓、耐過(guò)電流的水平下降,對(duì)雷電(包括感應(yīng)雷及操作過(guò)電壓)浪涌的承受能力降低。眾所周知,雷電具有極大的破壞性,其電壓高達(dá)數(shù)百萬(wàn)伏,瞬間電流可高達(dá)數(shù)十萬(wàn)安培。本文介紹CCTV系統(tǒng)防雷
2010-02-22
CCTV 防雷 VLSI
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