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215系列：Littelfuse新款5×20mm陶瓷體延時(shí)型管狀保險(xiǎn)絲
Littelfuse推出新款215系列5×20mm陶瓷體、延時(shí)型管狀保險(xiǎn)絲，能夠在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高熔斷容量。此新款保險(xiǎn)絲可以為高達(dá)250VAC的供電提供15A、16A、20A和25A的額定電流。
2009-02-03
215系列 延時(shí)型保險(xiǎn)絲
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TMOV34S：Littelfuse新款熱保護(hù)壓敏電阻
Littelfuse推出TMOV34S系列雙接線端版產(chǎn)品。它們是市場(chǎng)領(lǐng)先的TMOV系列熱保護(hù)壓敏電阻的新增產(chǎn)品，其代表了電路保護(hù)領(lǐng)域的新發(fā)展。它由34mm x 34mm壓敏電阻組件（MOV）以及熱感應(yīng)材料組成。當(dāng)出現(xiàn)過(guò)電壓而造成的過(guò)熱情況時(shí)，熱感應(yīng)材料的設(shè)計(jì)能夠使器件安全地?cái)嚅_(kāi)。
2009-02-01
熱保護(hù)壓敏電阻 TMOV34S UL 1449 脈沖 手機(jī)/通訊基站電源
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MP壓敏電阻：愛(ài)普科斯極其堅(jiān)固的新型多重脈沖產(chǎn)品
愛(ài)普科斯已經(jīng)開(kāi)發(fā)出極其堅(jiān)固的新型多重脈沖MP壓敏電阻。這些保護(hù)性元件非常適合于經(jīng)常產(chǎn)生過(guò)電壓脈沖的應(yīng)用，例如開(kāi)關(guān)電源或過(guò)電壓保護(hù)模塊。這類壓敏電阻的直徑包括10、14和20mm，能夠承受間隔為60秒鐘、帶15個(gè)8/20 μs脈沖的1.5-5 kA的沖擊電流。其響應(yīng)電壓范圍介于275至460 V AC，130 V AC版本目...
2009-01-30
多重脈沖 MP壓敏電阻 Epcos 沖擊電流 響應(yīng)電壓范圍 電路保護(hù)
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用于家用電器、控制器和交流電源的協(xié)同式電路保護(hù)
用高分子聚合物正溫度系數(shù)器件（PPTC）實(shí)現(xiàn)的過(guò)流、過(guò)熱協(xié)同保護(hù)技術(shù)可以保護(hù)家用電器中的電動(dòng)機(jī)、控制器和電子元件。PPTC器件的電阻小，尺寸與熔斷器相同，在出現(xiàn)故障時(shí)，會(huì)限制危險(xiǎn)的大電流流過(guò)。不過(guò)，在排除了故障并且切斷電源之后，PPTC器件會(huì)恢復(fù)原來(lái)的低電阻狀態(tài)，它所保護(hù)的設(shè)備仍能正常工作。
2009-01-29
PPTC 壓敏電阻 電路保護(hù) LCD 交流電源 工業(yè)控制器
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TE5和TR5:Littelfuse電子鎮(zhèn)流器應(yīng)用超小型保險(xiǎn)絲
Littelfuse (美國(guó)力特公司）推出2款全新的面向熒光照明中電子鎮(zhèn)流器應(yīng)用的超小型延時(shí)、徑向引線保險(xiǎn)絲系列
2009-01-29
美國(guó)力特 電子整流器 保險(xiǎn)絲
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為大功率和混合動(dòng)力汽車優(yōu)化的Vishay負(fù)載突降保護(hù)器件
現(xiàn)在汽車上的電子設(shè)備越來(lái)越多，所有連接在供電線路上的電子系統(tǒng)的保護(hù)器件不可能平均分擔(dān)瞬態(tài)能量。瞬態(tài)能量對(duì)連接的那些最低阻抗的保護(hù)器件的影響尤為嚴(yán)重。因此，在汽車電子設(shè)計(jì)中，一個(gè)保護(hù)器件要能夠安全地承受負(fù)載突降狀態(tài)瞬變的全部能量。本文介紹了負(fù)載突降的概念和該如何去應(yīng)對(duì)該種情況以...
2009-01-25
負(fù)載突降 TVS 混合動(dòng)力汽車 Vishay 電路保護(hù)
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淺析ESD防護(hù)與ESD防護(hù)器件
ESD會(huì)對(duì)電子產(chǎn)品帶來(lái)致命損害，本文介紹了防止ESD產(chǎn)生和保護(hù)電子設(shè)備不受ESD損害的方法。并專門(mén)介紹了瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)在ESD保護(hù)方面的卓越性能。
2009-01-23
MLV TVS ESD 靜電 電路保護(hù) 安森美
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多晶硅量子效應(yīng)及其對(duì)MOSFET閾值電壓的影響
根據(jù)載流子分布曲線近似，通過(guò)求解泊松方程，得到了多晶硅中電場(chǎng)及其電勢(shì)的分布，計(jì)算了在不同摻雜濃度下多晶硅量子效應(yīng)所引起的MOSFET閾值電壓的偏移，并與數(shù)值模擬的結(jié)果進(jìn)行了比較，表明其具有較好的準(zhǔn)確性
2009-01-17
多晶硅量子 MOSFET 閾值電壓
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3G手機(jī)LED顯示屏與攝像模塊的ESD保護(hù)技術(shù)
在3G時(shí)代，手機(jī)多媒體業(yè)務(wù)的進(jìn)一步導(dǎo)入將使LCD顯示屏和攝像頭的分辨率邁上新臺(tái)階?，F(xiàn)有的顯示和攝像模塊與基帶電路或者多媒體處理器之間通過(guò)柔性電纜進(jìn)行的并行連接將變得擁擠，同時(shí)EMI問(wèn)題也變得非常關(guān)鍵。為了解決這些問(wèn)題，一些顯示器制造商、半導(dǎo)體廠商和攝像模塊制造商已經(jīng)開(kāi)發(fā)了高速串行總線...
2009-01-15
3G 手機(jī) 并行接口 串行接口 ESD EMI ST
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