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SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動作”時(shí)，本文先對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個(gè)主題的前提。
2022-01-17
SiC MOSFET 橋式結(jié)構(gòu)
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SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？
自舉式懸浮驅(qū)動電路可以極大的簡化驅(qū)動電源的設(shè)計(jì)，只需要一路電源就可以驅(qū)動上下橋臂兩個(gè)開關(guān)管的驅(qū)動，可以節(jié)省Si MOSFET功率器件方案的成本。隨著新能源受到全球政府的推動與支持，與新能源相關(guān)的半導(dǎo)體芯片需求激増，導(dǎo)致產(chǎn)能緊缺。綠色低碳技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)用是實(shí)現(xiàn)碳中和目標(biāo)的重要一環(huán)，碳化硅是應(yīng)...
2022-01-17
SiC MOSFET Si MOSFET 自舉電路
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如何才能更易于實(shí)施安全性？擴(kuò)展工業(yè)控制系統(tǒng)中的安全終端！
工業(yè)控制系統(tǒng)(ICS)中的網(wǎng)絡(luò)安全問題勢必延緩工業(yè)4.0的采用。許多企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者發(fā)現(xiàn)ICS網(wǎng)絡(luò)安全挑戰(zhàn)非常難以理解，因?yàn)楸姸嘁蛩貙?dǎo)致其非常復(fù)雜。此外，開發(fā)工業(yè)控制系統(tǒng)解決方案的工程師可能尚未看到在設(shè)備層面的重大網(wǎng)絡(luò)安全要求。
2022-01-16
工業(yè)控制系統(tǒng) 安全終端
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如何運(yùn)用升降壓芯片CS5517實(shí)現(xiàn)鋰電池穩(wěn)定輸出3.3V/3.6V（1.2-5V）的電壓？
隨著包括無線耳機(jī)、健身設(shè)備、智能手表、水表與燃?xì)獗怼⒈銛y式醫(yī)療設(shè)備以及各種電池供電的智能物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的爆炸式增長，以鋰電池為電源的應(yīng)用越來越普及。大多數(shù)移動設(shè)備正常工作都需要一定的恒壓電源，以保證系統(tǒng)正常運(yùn)行。
2022-01-13
升降壓芯片CS5517 鋰電池
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狀態(tài)監(jiān)控(CbM)技術(shù)如何以更高能效實(shí)現(xiàn)海水淡化
如果我們可以飲用海水，會怎么樣？這將對農(nóng)業(yè)、可持續(xù)發(fā)展和全球生活質(zhì)量產(chǎn)生巨大影響，但對能源的需求同樣也很大。海水淡化技術(shù)非常耗電，且實(shí)施起來往往需要花費(fèi)大量的時(shí)間和資源。 這項(xiàng)技術(shù)在效率上的任何提升，都相當(dāng)引入注目?，F(xiàn)在，隨著ADI開發(fā)的OtoSense?平臺，我們突然覺得，提高效率似乎...
2022-01-12
狀態(tài)監(jiān)控 技術(shù) ADI
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高深寬比刻蝕和納米級圖形化推進(jìn)存儲器的路線圖
隨著市場需求推動存儲器技術(shù)向更高密度、更優(yōu)性能、新材料、3D堆棧、高深寬比 (HAR) 刻蝕和極紫外 (EUV) 光刻發(fā)展，泛林集團(tuán)正在探索未來三到五年生產(chǎn)可能面臨的挑戰(zhàn)，以經(jīng)濟(jì)的成本為晶圓廠提供解決方案。
2022-01-10
高深寬比刻蝕 納米級圖形 存儲器
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雙極結(jié)型晶體管——MOSFET的挑戰(zhàn)者
數(shù)字開關(guān)通常使用MOSFET來創(chuàng)建，但是對于低飽和電壓的開關(guān)模型，雙極結(jié)型晶體管已成為不容忽視的替代方案。對于低電壓和低電流的應(yīng)用，它們不僅可以提供出色的電流放大效果，還具有成本優(yōu)勢。
2022-01-07
雙極結(jié)型晶體管 MOSFET
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高壓放大器在頻閃成像技術(shù)MEMS離面運(yùn)動中的應(yīng)用
MEMS是以微電子技術(shù)為基礎(chǔ)，采用硅微加工技術(shù)、光刻鑄造成型(LIGA)和精密機(jī)械加工等多種微加工技術(shù)制作的，關(guān)鍵尺寸在亞微米至亞毫米范圍內(nèi)的微傳感器、微執(zhí)行器和微系統(tǒng)的總稱
2021-12-28
高壓放大器 頻閃成像技術(shù) MEMS 離面運(yùn)動
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PLBUS PLC模組助力打造新一代教室智能光照環(huán)境
近年來，近視在青少年人群中的發(fā)病率居高不下。有統(tǒng)計(jì)表明，小學(xué)生近視發(fā)病率基本保持在20%-40%之間，初中生近視發(fā)病率基本維持在50%-60%左右，高中生近視的發(fā)病率則可達(dá)到70%。造成這一現(xiàn)象的罪魁禍?zhǔn)字痪褪乔嗌倌觊L期處于不健康的照明環(huán)境中。
2021-12-28
PLBUS PLC模組 教室智能光照
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