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悉尼科技大學(xué)利用MVG緊縮型吸波暗室成為澳大利亞天線研究領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)者
悉尼科技大學(xué)（UTS）全球大數(shù)據(jù)技術(shù)中心 (GBDTC) 的秦培源博士和郭玉杰特聘教授共同領(lǐng)導(dǎo)該校在未來無線通信領(lǐng)域的先進(jìn)天線研發(fā)工作。秦博士和他的團(tuán)隊(duì)所從事的天線研發(fā)工作需要在電磁頻譜的不同部分測(cè)量性能: 8 GHz-26.5 GHz和60 GHz-90GHz。前者用于為 4G/5G 開發(fā)先進(jìn)的毫米波 (mmWave) 天線, 后者...
2023-12-15
悉尼科技大學(xué) MVG 吸波暗室
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意法半導(dǎo)體：邊緣AI開發(fā)的挑戰(zhàn)及ST的解決方案
今天，人工智能（AI）被廣泛應(yīng)用，幾乎無所不在，AI有助于汽車、工業(yè)、個(gè)人電子等產(chǎn)品設(shè)備實(shí)現(xiàn)數(shù)字化和智能化，改變我們的日常生活和工作方式。在很多應(yīng)用領(lǐng)域，尤其是工業(yè)應(yīng)用，AI 將是一個(gè)“攪局者”，將會(huì)改變現(xiàn)有的游戲規(guī)則。
2023-12-15
意法半導(dǎo)體 邊緣AI
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電源環(huán)路閉環(huán)穩(wěn)定性的評(píng)判標(biāo)準(zhǔn)
所有電源環(huán)路的分析，最終是為了能夠很好地去對(duì)電源進(jìn)行合理的控制達(dá)到穩(wěn)定，那么如何去判斷電源的環(huán)路穩(wěn)定性呢？我們通過本節(jié)系統(tǒng)講述一下如何判斷電源系統(tǒng)的環(huán)路穩(wěn)定性及相關(guān)的一些背景知識(shí)。
2023-12-15
電源環(huán)路 閉環(huán)
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試一試能快速實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比的電路保護(hù)的eFuse
隨著電子設(shè)備在家庭、辦公室和工業(yè)中的普及，對(duì)高速、緊湊、低成本、可復(fù)位和可調(diào)節(jié)電路保護(hù)器件的需求越來越重要，以確保用戶安全和最長的正常設(shè)備運(yùn)行時(shí)間。傳統(tǒng)熔斷方法的熔斷電流不準(zhǔn)確、響應(yīng)時(shí)間慢，而且通常保險(xiǎn)絲更換不方便。
2023-12-14
電路保護(hù) eFuse
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解決角雷達(dá)系統(tǒng)的 3 大電源設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
在過去十年內(nèi)，雷達(dá)傳感技術(shù)開始逐步替代傳統(tǒng)的汽車傳感方式。雷達(dá)傳感技術(shù)具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)，例如可以進(jìn)行遠(yuǎn)距離檢測(cè)，具有更高的分辨率和精度。因此，雷達(dá)傳感技術(shù)被廣泛應(yīng)用于駕駛安全功能、自動(dòng)駕駛和高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)。
2023-12-13
角雷達(dá)系統(tǒng)
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超聲技術(shù)在醫(yī)療領(lǐng)域的發(fā)展趨勢(shì)和應(yīng)用
超聲波（Ultrasound）是指頻率高于兩萬赫茲的聲波，在工業(yè)、醫(yī)療等領(lǐng)域均有具體應(yīng)用。隨著醫(yī)療技術(shù)的進(jìn)步和設(shè)備的不斷更新，超聲已經(jīng)成為醫(yī)學(xué)領(lǐng)域不可或缺的應(yīng)用技術(shù)。醫(yī)學(xué)超聲設(shè)備主要利用超聲波對(duì)于人體不同部位反饋產(chǎn)生的信號(hào)或能量屬性，對(duì)于人體的異常狀態(tài)或疾病進(jìn)行診斷或治療。
2023-12-13
超聲技術(shù) 醫(yī)療領(lǐng)域
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一文讀懂：為什么碰撞檢測(cè)是協(xié)作機(jī)器人的底層技術(shù)
傳統(tǒng)工業(yè)機(jī)器人體積龐大且安全系數(shù)低，因?yàn)樽鳂I(yè)半徑內(nèi)不允許有人。隨著精密制造、柔性制造等動(dòng)態(tài)非結(jié)構(gòu)化生產(chǎn)需求增加，機(jī)器人與人、機(jī)器人與環(huán)境的共存對(duì)機(jī)器人設(shè)計(jì)提出了更高的要求，具備這種能力的機(jī)器人我們將其稱為協(xié)作機(jī)器人。
2023-12-13
碰撞檢測(cè) 機(jī)器人
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MOS管G極與S極之間的電阻作用
MOS管具有三個(gè)內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點(diǎn)在MOS管的規(guī)格書中可以體現(xiàn)（規(guī)格書常用Ciss、Coss、Crss這三個(gè)參數(shù)代替）。MOS管之所以存在米勒效應(yīng)，以及ＧＳ之間要并電阻，其源頭都在于這三個(gè)寄生電容。
2023-12-11
MOS管 G極 S極
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漫談QLC其三：QLC NAND的主流應(yīng)用
前文所述，老四QLC在爭(zhēng)議中成長，已進(jìn)入當(dāng)打之年，憑借性能、壽命、容量和價(jià)格極致性價(jià)比的特性，配合主控和固件糾錯(cuò)能力和算法方案的日漸成熟，進(jìn)入到消費(fèi)級(jí)SSD和企業(yè)級(jí)SSD主戰(zhàn)場(chǎng)，如今市面上有多款已量產(chǎn)的消費(fèi)級(jí)和企業(yè)級(jí)QLC SSD，進(jìn)入商用。
2023-12-11
QLC NAND
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