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AUIRG7CH80K6B-M：IR推出焊前金屬的絕緣柵雙極晶體管
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M，適用于電動汽車 (EV) 、混合電動汽車 (HEV) 和中功率驅(qū)動器中的高電流、高電壓汽車逆變器模塊。
2009-11-24
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如何正確地為太陽能逆變器應(yīng)用選擇IGBT
介紹如何利用全橋逆變器拓?fù)浼斑x用合適的IGBT，使太陽能應(yīng)用的功耗降至最低.
2009-11-13
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STGW30N120KD/STGW40N120KD：低開關(guān)損耗1200V IGBT系列產(chǎn)品
日前，意法半導(dǎo)體（ST）推出新系列功率晶體管，可最大限度降低電機(jī)控制電路的兩大能耗源，降低家電、供暖通風(fēng)空調(diào)（HVAC）系統(tǒng)、工業(yè)機(jī)床等日用設(shè)備對環(huán)境的影響。STGW30N120KD和STGW40N120KD是兩款導(dǎo)通損耗很低的絕緣柵雙極晶體管（IGBT），可降低開關(guān)損耗。
2009-10-21
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IGBT在客車系統(tǒng)逆變器中的應(yīng)用與保護(hù)
IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(InsulatedGateBipolarTransistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場效應(yīng)管的優(yōu)點(diǎn)而發(fā)展的一種新型復(fù)合電子器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)
2009-08-24
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新IGBT技術(shù)提高應(yīng)用性能
在實(shí)際的開關(guān)中，存在大量的正向和開關(guān)損耗。因而設(shè)計中的熱阻對模塊性能來說是至關(guān)重要的。本文討論IGBT2、IGBT3以及SEMITRANS?模塊采用的新IGBT4半導(dǎo)體技術(shù)之間的區(qū)別，并展示在某些情況下新IGBT4技術(shù)所帶來的性能提升。
2009-07-28
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逆變電源的IGBT保護(hù)技術(shù)
本文通過分析IGBT的結(jié)構(gòu)及其安全工作區(qū)，解釋了在實(shí)際應(yīng)用中可能造成其損壞的原因，并利用硬件電路結(jié)合單片機(jī)的控制程序?qū)『改孀冸娫吹?span id="evjpjwfmry" class='red'>IGBT 采取相應(yīng)措施進(jìn)行保護(hù)，從而確保了IGBT安全可靠的工作。
2009-07-15
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IGBT驅(qū)動器輸出計算
絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是應(yīng)用廣泛的功率半導(dǎo)體器件，驅(qū)動器的合理設(shè)計對于IGBT的有效使用極為重要。本文就利用柵極電荷特性的考慮，介紹 了一些計算用于開關(guān)IGBT的驅(qū)動器輸出性能的方法。
2009-07-15
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節(jié)能技術(shù)研討會閉幕 低碳經(jīng)濟(jì)催熱新型節(jié)能技術(shù)
2010年4月15日，深圳—電子元件技術(shù)網(wǎng)攜手第75屆中國電子展和China Outlook Consulting在深圳會展中心牡丹廳舉辦的“第三屆新型節(jié)能設(shè)計技術(shù)研討會”已圓滿結(jié)束。低碳經(jīng)濟(jì)及其技術(shù)實(shí)現(xiàn)，成為了研討會探討的焦點(diǎn)話題，LED照明電源設(shè)計、新型IGBT、儲能電容、MCU的節(jié)能應(yīng)用，作為滿足當(dāng)前新型節(jié)能減碳設(shè)計的最熱門技術(shù)，收到與會者的關(guān)注。有300名左右的專業(yè)聽眾參加了研討會的活動。
2009-07-14
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混合動力汽車前景看好 IGBT成驅(qū)動核心
混合動力汽車是大規(guī)模應(yīng)用新能源汽車的切入點(diǎn)。功率半導(dǎo)體器件與模塊在混合動力汽車中起著不可替代的作用。除降低成本之外，混合動力汽車還需要在電池、電動、傳動及電氣系統(tǒng)等方面得到改善。
2009-07-01
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ACPL-312U：安華高可在延伸溫度范圍下工作的2.5A 門極驅(qū)動光電耦合器
安華高科技推出業(yè)內(nèi)第一款可以在延伸溫度范圍下工作的 2.5A 門極驅(qū)動光電耦合器ACPL-312U。它具有高速響應(yīng)，低功耗，-40°C 到 125°C 的延伸工業(yè)溫度范圍，采用標(biāo)準(zhǔn) DIP-8 封裝。可直接推動達(dá) 1200V/100A 的 IGBT 晶體管。
2009-05-27
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STY112N65M5：ST太陽能電池功率調(diào)節(jié)器用MOSFET
意法半導(dǎo)體（ST）開發(fā)出了用于配備太陽能電池功率調(diào)節(jié)器的MOSFET。耐壓650V，有最大導(dǎo)通電阻為0.022Ω（漏極電流為93A）的“STY112N65M5”和最大導(dǎo)通電阻0.038Ω（漏極電流為66A）的“STW77N65M5”。 此前，太陽能電池功率調(diào)節(jié)器一直使用IGBT，但由于MOSFET的導(dǎo)通電阻不斷降低，因此MOSFET正逐漸取代IGBT。
2009-02-25
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滿足可再生能源和傳統(tǒng)電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用 英飛凌擴(kuò)產(chǎn)功率模塊
近日，英飛凌科技股份公司宣布，該公司正在擴(kuò)建其位于匈牙利Cegléd的功率模塊生產(chǎn)工廠，以滿足日益增長的對于可再生能源和傳統(tǒng)電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)的需求。2012年英飛凌計劃使Cegléd工廠的IGBT模塊達(dá)到年產(chǎn)近600萬塊。
2009-02-12
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