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怎樣計(jì)算晶振的負(fù)載電容
各種邏輯芯片的晶振引腳可以等效為電容三點(diǎn)式振蕩器。晶振引腳的內(nèi)部通常是一個(gè)反相器，或者是奇數(shù)個(gè)反相器串聯(lián)。在晶振輸出引腳XO和晶振輸入引腳XI之間用一個(gè)電阻連接。
2013-03-21
計(jì)算 晶振 負(fù)載電容
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新開發(fā)的片狀多層陶瓷電容器
京瓷開發(fā)出全球首創(chuàng)的片狀多層陶瓷電容器，主要用于工業(yè)設(shè)備，具有較小的尺寸和耐高壓及高靜電容量性能。新產(chǎn)品(CM316X7S475M100V)采用京瓷多年積累的材料技術(shù)對介質(zhì)材料進(jìn)行改善。
2013-03-20
片狀多層陶瓷電容器 耐高壓 高靜電容量
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詳解水泥電阻的發(fā)熱情況
水泥電阻，就是用水泥灌封的電阻器，水泥電阻發(fā)熱太快的原因有：當(dāng)電阻一定時(shí)，那就是電流過大，如果是這樣，那就減小流過電阻 的電流。當(dāng)電流一定時(shí)，那就是電阻的值太大，適當(dāng)減小電阻的阻值。
2013-03-20
水泥電阻 發(fā)熱情況 焦耳定律
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第三講：保險(xiǎn)絲的選型及設(shè)計(jì)實(shí)例分析
保險(xiǎn)絲被應(yīng)用在各種各樣的電子設(shè)備中，為設(shè)備的使用豎起一道安全的屏障。保險(xiǎn)絲的原理相信大家都已經(jīng)很熟悉了，但是保險(xiǎn)絲在選型時(shí)該注意哪些因素，在實(shí)際產(chǎn)品中該怎樣應(yīng)用？這些都是本次大講臺將要講解的內(nèi)容。
2013-03-19
保險(xiǎn)絲 汽車 電機(jī) AEM
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450W具備ESD和浪涌防護(hù)的瞬態(tài)抑制二極管數(shù)組
Littelfuse的450W瞬態(tài)抑制二極管數(shù)組保護(hù)敏感電子器件不受ESD和浪涌電流侵害，旨在保護(hù)按鈕/鍵盤、開關(guān)、直流電源接口和其他低速I/O，與同類產(chǎn)品相比最高可降低50%的箝位電壓，并最高可安全耗散30A的感應(yīng)浪涌電流。
2013-03-19
ESD 浪涌防護(hù) 瞬態(tài)抑制二極管
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4種常用的直流開關(guān)電源保護(hù)電路
對一個(gè)給定的直流開關(guān)電源來說，保護(hù)電路是否完善并按預(yù)定設(shè)置工作，對電源裝置的安全性和可靠性至關(guān)重要。因?yàn)殚_關(guān)電源的保護(hù)方案和電路結(jié)構(gòu)具有多樣性，所以對具體電源裝置而言，應(yīng)選擇合理的保護(hù)方案和電路結(jié)構(gòu)。在實(shí)際應(yīng)用中，通常選用幾種保護(hù)方式加以組合的方式構(gòu)成完善的保護(hù)系統(tǒng)，確保直流...
2013-03-19
開關(guān)電源 保護(hù)電路 過電流保護(hù)
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智能手機(jī)典型電路保護(hù)應(yīng)用示例
設(shè)計(jì)人員需要為智能手機(jī)、平板電腦、數(shù)碼相機(jī)等便攜及無線、消費(fèi)等應(yīng)用選擇適合的電路保護(hù)及濾波方案。本文分析了電路保護(hù)的技術(shù)趨勢及EMI濾技術(shù)比較，結(jié)合具體手機(jī)設(shè)計(jì)應(yīng)用示例，幫助設(shè)計(jì)人員選擇恰當(dāng)?shù)碾娐繁Ｗo(hù)及濾波方案。
2013-03-19
智能手機(jī) 電路保護(hù) 安森美半導(dǎo)體
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低壓高浪涌電流徑向引線式壓敏電阻
Littelfuse的LV UltraMOV壓敏電阻在較小圓盤上具有較高的峰值浪涌電流額定值。高峰值浪涌電流額定值提供對高峰值浪涌的保護(hù)，包括提供間接雷擊干擾以及從系統(tǒng)電源轉(zhuǎn)換瞬態(tài)和異?？焖偎矐B(tài)電流。
2013-03-19
低壓高浪涌 引線式 壓敏電阻
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專為移動(dòng)設(shè)備打造的CMOS-LDO穩(wěn)壓器集成電路
東芝發(fā)布CMOS-LDO穩(wěn)壓器TCR3DF系列。憑借300mA單輸出"TCR3DF系列"擴(kuò)充了其專為移動(dòng)設(shè)備打造的CMOS-LDO穩(wěn)壓器集成電路的陣容。其具有低壓差、低輸出噪音和高速負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)等特性。
2013-03-19
移動(dòng)設(shè)備 CMOS-LDO穩(wěn)壓器 集成電路
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